时间：2025/12/28 19:29:12
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TV15C141J-G 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于需要高效能和低导通电阻的场合。这款器件封装在 TO-252（也称为 DPAK）封装中，适用于表面贴装技术，具有较高的热稳定性和电气性能。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：150V
连续漏极电流（Id）：14A
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.135Ω @ Vgs=10V
导通电阻（Rds(on)）：0.175Ω @ Vgs=4.5V
功率耗散（Ptot）：60W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：TO-252 (DPAK)
TV15C141J-G 具有低导通电阻的特性，使其在导通状态下能够保持较低的功耗，从而提高整体系统的效率。该 MOSFET 的最大漏源电压为 150V，连续漏极电流可达 14A，适合用于高功率应用。其 TO-252 封装提供了良好的散热性能，有助于提高器件在高负载条件下的稳定性。
此外，TV15C141J-G 的栅源电压范围为 ±20V，这意味着它可以在较宽的驱动电压范围内正常工作，提高了其在不同电路设计中的适应性。器件的导通电阻在 Vgs=10V 时为 0.135Ω，在 Vgs=4.5V 时略微增加到 0.175Ω，这表明该器件在较低的栅极驱动电压下仍能保持较好的导通性能。
TV15C141J-G 广泛应用于多种电子设备和系统中，尤其是在需要高效功率管理和控制的场合。例如，它常用于电源管理模块、DC-DC 转换器、电机控制电路、负载开关、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率控制部分。
SiHH14N60E, FQA16N60C, IRFR120N
