工作频率范围：0.5 GHz 至 2.5 GHz
　　最大射频功率：100 W（连续波）
　　插入损耗：≤ 0.3 dB
　　隔离度：≥ 70 dB
　　VSWR（输入/输出）：≤ 1.2:1
　　切换时间：≤ 10 ms
　　触点配置：单刀双掷（SPDT）
　　工作电压：24 VDC
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　封装类型：DIP（双列直插式封装）
　　阻抗：50 Ω

TUF-1HSM+ 射频继电器具备出色的电气性能和耐用性，能够在高频环境下提供稳定的信号切换。其低插入损耗确保了信号在通过继电器时的衰减最小，从而保持了信号的完整性。高隔离度则保证了在不导通状态下，输入和输出端口之间的信号干扰极低。该器件的优异VSWR性能意味着其在不同负载条件下仍能保持良好的匹配特性，减少了反射信号的影响。
　　该继电器采用SPDT（单刀双掷）触点配置，支持两种不同的射频路径切换，适用于多种射频电路设计。此外，TUF-1HSM+ 的快速切换时间（≤ 10 ms）使其在需要快速响应的应用中表现出色，如自动测试设备和通信基站中的射频信号路由控制。
　　该器件的工作电压为24 VDC，适用于标准的工业控制电源。其宽工作温度范围（-55°C 至 +85°C）使其能够在各种环境条件下稳定运行，包括恶劣的工业和户外环境。TUF-1HSM+ 的DIP封装形式便于在PCB上安装和使用，同时也支持自动化装配工艺。

TUF-1HSM+ 广泛应用于需要高频信号切换的各类电子系统中。常见的应用包括射频测试设备、无线通信基站、雷达系统、频谱分析仪、信号发生器以及工业自动化控制系统。其优良的射频性能也使其适用于医疗设备中的射频能量控制和航空航天领域的高频信号管理。

TUF-1HSM+ 的替代型号包括 TUF-1HSR+ 和 KRYFS05-24VDC，它们在电气特性和封装形式上具有相似的性能，适用于类似的射频切换应用。