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TPH8R80ANH 发布时间 时间:2025/8/2 9:01:09 查看 阅读:47

TPH8R80ANH 是一款由东芝(Toshiba)公司推出的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率、高功率密度的应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极技术,具有低导通电阻(RDS(ON))、高电流容量和优异的热性能,适用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理系统、电机控制等应用领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):80V
  最大漏极电流(ID):120A(在25°C)
  导通电阻(RDS(ON)):8.0mΩ(最大值,典型值可能更低)
  栅极阈值电压(VGS(th)):2.0V ~ 4.0V
  最大功耗(PD):160W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:HSON(热增强型表面贴装封装)

特性

TPH8R80ANH 具有多个显著的电气和热性能优势。首先,其极低的导通电阻(RDS(ON))可显著降低导通损耗,提高系统效率。其次,该器件采用了先进的沟槽栅极结构,优化了电流分布,提高了器件的导电能力和稳定性。
  此外,TPH8R80ANH 具有较高的电流承载能力,能够在高负载条件下稳定工作。其热增强型HSON封装有助于快速散热,提升器件在高功率应用中的可靠性。同时,该MOSFET具有较低的栅极电荷(Qg),从而减少开关损耗,提高开关速度,适用于高频开关应用。
  该器件还具备良好的短路耐受能力和过温保护特性,适合在严苛的工业和汽车环境中使用。其栅极氧化层设计也增强了器件的可靠性和寿命,防止因电压尖峰或静电放电(ESD)导致的损坏。

应用

TPH8R80ANH 主要应用于需要高效率和高功率密度的场合,例如同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电源管理系统、电机驱动、电池管理系统(BMS)、汽车电子(如车载充电器OBC、DC-DC转换器)以及工业自动化设备等。其优异的热性能和高电流能力使其在高温环境下也能保持稳定运行,适合对可靠性要求较高的应用。
  在同步整流器中,该MOSFET可以有效替代传统的二极管整流,降低导通压降,提高转换效率。在DC-DC转换器中,TPH8R80ANH 的低RDS(ON)和快速开关特性有助于实现更高的功率密度和更小的PCB面积。在电机驱动和负载开关中,其高电流能力和低损耗特性能够提升系统响应速度和稳定性。

替代型号

SiR862DP-T1-GE3, SQJQ120EP, TPH8R00ANH

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