TPH8R80ANH 时间：2025/8/2 9:01:09 阅读：51

TPH8R80ANH 是一款由东芝（Toshiba）公司推出的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高功率密度的应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻（RDS(ON)）、高电流容量和优异的热性能，适用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理系统、电机控制等应用领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：80V
　　最大漏极电流（ID）：120A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(ON)）：8.0mΩ（最大值，典型值可能更低）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　最大功耗（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：HSON（热增强型表面贴装封装）

特性

TPH8R80ANH 具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其极低的导通电阻（RDS(ON)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件采用了先进的沟槽栅极结构，优化了电流分布，提高了器件的导电能力和稳定性。
　　此外，TPH8R80ANH 具有较高的电流承载能力，能够在高负载条件下稳定工作。其热增强型HSON封装有助于快速散热，提升器件在高功率应用中的可靠性。同时，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg），从而减少开关损耗，提高开关速度，适用于高频开关应用。
　　该器件还具备良好的短路耐受能力和过温保护特性，适合在严苛的工业和汽车环境中使用。其栅极氧化层设计也增强了器件的可靠性和寿命，防止因电压尖峰或静电放电（ESD）导致的损坏。

应用

TPH8R80ANH 主要应用于需要高效率和高功率密度的场合，例如同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电源管理系统、电机驱动、电池管理系统（BMS）、汽车电子（如车载充电器OBC、DC-DC转换器）以及工业自动化设备等。其优异的热性能和高电流能力使其在高温环境下也能保持稳定运行，适合对可靠性要求较高的应用。
　　在同步整流器中，该MOSFET可以有效替代传统的二极管整流，降低导通压降，提高转换效率。在DC-DC转换器中，TPH8R80ANH 的低RDS(ON)和快速开关特性有助于实现更高的功率密度和更小的PCB面积。在电机驱动和负载开关中，其高电流能力和低损耗特性能够提升系统响应速度和稳定性。