TT92N08KOF 是一款由TOSHIBA(东芝)公司生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和功率开关应用。该器件具有低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关以及马达控制等场景。TT92N08KOF采用东芝先进的U-MOS V技术制造,提供了出色的导通特性和开关性能。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):16A
导通电阻(Rds(on)):最大2.7mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:TO-220AB
功率耗散(Pd):40W
TT92N08KOF具备多项优良特性,首先其低导通电阻有助于减少导通损耗,提高系统效率,这对于高功率密度的电源设计尤为重要。
其次,该MOSFET的高电流承载能力(16A)使其能够在较高负载条件下稳定工作,适用于需要高效率和高性能的电源转换应用。
此外,U-MOS V技术的应用提升了器件的开关性能,降低了开关损耗,从而有助于提高整体系统的能效。
该器件还具备良好的热稳定性,能够在较高的工作温度下保持性能稳定,适应恶劣的环境条件。
TO-220AB封装形式提供了良好的散热性能,确保器件在高功耗应用中仍能维持较低的工作温度,延长使用寿命。
最后,TT92N08KOF的栅极驱动电压范围宽(可支持10V或更高),适用于多种驱动电路设计,便于集成。
TT92N08KOF广泛应用于各类电力电子设备中,尤其适合需要高效功率转换的场景。
在开关电源(SMPS)中,该MOSFET可用于主开关或同步整流器,提升转换效率并减少发热。
在DC-DC转换器中,TT92N08KOF适用于升压(Boost)或降压(Buck)拓扑结构,实现高效率的能量转换。
它也常用于负载开关、电池管理系统(BMS)和电动工具中的马达驱动电路,提供快速的开关响应和稳定的电流控制。
此外,该器件还可用于工业自动化设备、汽车电子系统、电源适配器以及LED照明驱动等应用场景,满足多样化的设计需求。
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