时间：2025/8/23 18:33:35
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TT570N18KOF 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）功率半导体器件，专为高功率、高频应用设计。这款器件具有低导通压降和较低的开关损耗，适用于需要高效能和可靠性的工业应用。
类型：IGBT
集电极-发射极电压（Vce）：1800V
集电极电流（Ic）：570A
短路电流能力：2280A
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：双列直插式（Double Sided Cooling）
短路耐受能力：6μs @ 150°C
栅极驱动电压：+15V/-15V
短路电流测试条件：Vcc=800V, Vge=+15V
TT570N18KOF 的设计使其在高功率应用中表现出色，主要特性包括：
1. 高电流容量：570A 的额定集电极电流，使其适用于大功率逆变器和变频器。
2. 高电压耐受能力：1800V 的集电极-发射极电压，能够承受高电压应力，适用于中高压系统。
3. 优化的开关性能：通过降低开关损耗来提高效率，适用于高频开关应用。
4. 优异的热管理能力：采用双面散热封装技术，提高了热传导效率，确保长时间运行的稳定性。
5. 强大的短路耐受能力：在800V母线电压下，短路电流可达2280A，并能承受6μs的短路时间，增强了系统的鲁棒性。
6. 宽工作温度范围：支持从-55°C到+150°C的工作温度范围，适用于严苛环境下的工业和能源应用。
TT570N18KOF 主要用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统。典型应用包括：工业电机驱动、变频器、逆变器、电能质量调节装置、轨道交通牵引系统、可再生能源系统（如风力发电变流器）、储能系统以及工业自动化设备中的大功率电源模块。
SKM550GB176D, FF550R17KE4_B11
