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W632GG8MB-11 TR 发布时间 时间:2025/8/20 10:51:19 查看 阅读:9

W632GG8MB-11 TR 是一款由 Winbond 生产的 NOR 闪存芯片,具有高性能和低功耗的特点。该芯片广泛应用于需要快速读取和高可靠性的场合,如嵌入式系统、网络设备、工业控制设备和消费电子产品。

参数

容量:8MB
  封装类型:TSOP
  电压范围:2.7V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口类型:并行 NOR Flash
  访问时间:10ns
  封装尺寸:56-TSOP
  最大读取电流:50mA
  待机电流:10mA

特性

W632GG8MB-11 TR 是一款高性能 NOR 闪存芯片,具备高速读取能力,访问时间仅为 10ns,适用于对速度有要求的应用。该芯片采用 56-TSOP 封装,适合表面贴装工艺,且具有良好的热稳定性和机械稳定性。
  其工作电压范围为 2.7V 到 3.6V,支持宽电压操作,适应多种电源设计。芯片的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,能够在工业级温度环境下稳定运行,因此非常适合工业控制和网络设备的应用场景。
  此外,这款 NOR Flash 提供高达 8MB 的存储容量,支持随机访问模式,允许直接执行代码(Execute-In-Place, XIP),减少系统对额外存储器的需求,简化系统架构。低功耗设计使其在待机模式下仅消耗 10mA 的电流,有助于延长电池供电设备的使用寿命。

应用

该芯片常用于嵌入式系统、路由器、交换机、工业控制系统、测试仪器、数码相机、手持设备等需要非易失性存储和快速执行代码的场景。

替代型号

M29W800BB, S29AL008D, AM29LV800BB

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W632GG8MB-11 TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-VFBGA
  • 供应商器件封装78-VFBGA(10.5x8)