TT570N14KOF 时间：2025/8/23 18:42:17 阅读：5

TT570N14KOF是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换系统中。该器件由Toshiba（东芝）公司生产，设计用于高效率、高可靠性的开关电路，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和大电流承载能力等优点。TT570N14KOF适用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统以及其他需要高功率密度的场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：140V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：70A（最大）
　　导通电阻（RDS(on)）：1.4mΩ（典型值）
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　功率耗散（PD）：200W（最大）
　　栅极电荷（Qg）：120nC（典型）
　　漏源击穿电压（BVDSS）：140V
　　阈值电压（VGS(th)）：2V至4V

特性

TT570N14KOF采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低导通损耗并提高能效。该器件的高耐压能力（140V）使其适用于各种高压电源转换应用，如AC-DC电源适配器、工业电源和汽车电子系统。
　　其高电流承载能力（70A）确保了在高功率负载下仍能稳定运行，适用于大功率DC-DC转换器和电机驱动电路。此外，该MOSFET的封装形式为TO-247，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
　　TT570N14KOF还具有优异的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作，适合工业级和汽车级应用。其栅极驱动要求较低，可与常见的PWM控制器或驱动IC兼容，简化了电路设计。
　　该器件的快速开关特性减少了开关损耗，提高了整体系统的效率。同时，其低Qg值（120nC）降低了驱动电路的负担，使得高频工作成为可能。

应用

TT570N14KOF广泛应用于多个领域，包括工业电源、服务器电源、电信设备电源、电动汽车充电系统、太阳能逆变器和储能系统。在DC-DC转换器中，该MOSFET用于高效率的升降压电路，提升能量转换效率。
　　在汽车电子方面，TT570N14KOF可用于车载充电器（OBC）、电池管理系统（BMS）和电动助力转向系统（EPS）。此外，在电机控制和驱动电路中，该器件可作为高侧或低侧开关，提供稳定可靠的功率控制。
　　该MOSFET也适用于各种负载开关应用，如电源管理模块和智能电源分配系统，能够实现快速的开关控制和高效的能量管理。