QM76018E0.5TR7X 时间：2025/8/15 13:35:22 阅读：9

QM76018E0.5TR7X 是一款由Qorvo公司推出的高性能射频（RF）功率晶体管，采用先进的GaAs（砷化镓）技术制造，适用于高频率、高效率的射频放大应用。该器件通常用于无线通信系统、基站设备、工业测试设备和军事通信设备等高端领域。QM76018E0.5TR7X具有高输出功率、良好的线性度和稳定性，适用于800 MHz至1 GHz频段的操作。

参数

制造商：Qorvo
　　型号：QM76018E0.5TR7X
　　类型：射频功率晶体管
　　晶体管类型：GaAs FET
　　频率范围：800 MHz - 1 GHz
　　输出功率：18 W（典型值）
　　增益：约20 dB
　　效率：约50%
　　工作电压：+28V
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　封装尺寸：7 mm x 7 mm
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

特性

QM76018E0.5TR7X 是一款基于 GaAs 技术的高功率射频晶体管，专为在 800 MHz 至 1 GHz 频段内提供高线性度和高效率而设计。该器件采用先进的制造工艺，确保在高频工作时仍能保持优异的稳定性和可靠性。其主要特性包括高输出功率、高增益、良好的热管理和出色的线性性能，使其非常适合用于要求严格的通信系统。
　　QM76018E0.5TR7X 的输出功率在典型条件下可达 18W，增益约为 20dB，效率可达到 50% 或更高。这使得该器件在基站功率放大器和其他高功率射频应用中表现出色。此外，该晶体管采用表面贴装封装（SMT），尺寸为 7 mm x 7 mm，适合现代高密度 PCB 设计，同时具备良好的散热性能。
　　该器件的工作电压为 +28V，能够在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内稳定工作，适应各种严苛的环境条件。QM76018E0.5TR7X 的高线性度使其适用于数字通信系统中，能够有效减少信号失真并提高系统性能。其优异的匹配性能和宽带设计，也使得它在多种射频系统中可以灵活使用。

应用

QM76018E0.5TR7X 广泛应用于多种射频和微波系统中，尤其适用于无线通信基础设施。该器件常用于基站功率放大器模块（PAM）、无线局域网（WLAN）、WiMAX 基站、蜂窝中继器和远程无线电头（RRH）等设备。此外，它也可用于工业、科学和医疗（ISM）频段设备、测试测量仪器以及军事通信系统。由于其高线性度和宽频带特性，QM76018E0.5TR7X 在需要高输出功率和低失真的应用中表现尤为突出。