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TT3311ND 发布时间 时间:2025/7/7 16:42:18 查看 阅读:15

TT3311ND是一款高性能的低噪声放大器(LNA)芯片,专为无线通信和射频应用设计。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,具有低功耗、高增益和低噪声系数的特点。其工作频率范围宽广,适合用于蜂窝网络、Wi-Fi模块和其他无线通信设备中。
  TT3311ND在设计上优化了射频信号的接收性能,使其成为需要高性能射频前端的应用的理想选择。

参数

工作电压:2.7V至5.5V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  增益:16dB(典型值)
  噪声系数:1.2dB(典型值)
  输入回波损耗:-8dB(典型值)
  输出回波损耗:-10dB(典型值)
  电流消耗:8mA(典型值)
  封装形式:SOT-23

特性

TT3311ND具有以下主要特性:
  1. 高增益与低噪声系数,确保信号的高质量传输。
  2. 支持宽广的工作电压范围,适应多种电源环境。
  3. 超低功耗设计,非常适合便携式和电池供电的设备。
  4. 小型化的SOT-23封装,节省电路板空间。
  5. 稳定的工作温度范围,能够应对各种环境条件。
  6. 容易匹配的输入输出阻抗,简化电路设计。

应用

TT3311ND广泛应用于以下领域:
  1. 蜂窝通信基站和终端设备。
  2. Wi-Fi路由器和接入点。
  3. 物联网(IoT)设备中的射频前端。
  4. GPS接收模块和其他导航系统。
  5. 无线传感器网络和其他低功耗无线通信系统。
  6. 各种手持式和移动通信设备。

替代型号

TT3311GD, HMC921LP4E, SKY67152-30

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