时间：2025/8/22 13:05:41
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TT251N1100KOF是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率晶体管，属于IGBT（绝缘栅双极型晶体管）类别。这款IGBT专门设计用于高功率应用，例如工业电机控制、电源转换系统和可再生能源设备。其高电压和电流处理能力使其在需要高效能和可靠性的应用中表现出色。TT251N1100KOF采用了先进的沟道栅极技术和场截止设计，提供了低导通压降和开关损耗的平衡，同时保持了良好的热稳定性。
类型：IGBT（绝缘栅双极型晶体管）
最大集电极-发射极电压（VCES）：1100V
最大集电极电流（IC）：25A
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247
导通压降（VCEsat）：典型值2.1V（在IC=25A，VGE=15V）
输入电容（Cies）：约1700pF
短路耐受能力：支持
栅极电荷（Qg）：约48nC
TT251N1100KOF IGBT的主要特性包括其卓越的导通和开关性能、高可靠性和热稳定性，以及紧凑的封装设计。该器件的最大集电极-发射极电压为1100V，能够承受较高的工作电压，适用于高压应用。其最大集电极电流为25A，使得它能够在较高的负载条件下稳定工作。
该IGBT的导通压降（VCEsat）在标准工作条件下为2.1V，确保了较低的导通损耗，从而提高了整体效率。此外，TT251N1100KOF具有较低的开关损耗，这对于高频开关应用非常重要，因为它有助于减少系统中的总功率损耗并降低热应力。
TT251N1100KOF还具备良好的短路耐受能力，能够在异常工作条件下提供额外的安全保障。这种特性对于需要高可靠性的工业设备来说是至关重要的。
从封装角度来看，该IGBT采用TO-247封装形式，这种封装不仅体积小巧，而且便于散热和安装，非常适合在紧凑型功率模块中使用。
TT251N1100KOF IGBT广泛应用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统中。其典型应用包括工业电机驱动器（如变频器）、电源转换器、不间断电源（UPS）、电焊机和可再生能源系统（如太阳能逆变器）。在这些应用中，TT251N1100KOF可以提供高效的电能转换，并确保系统在高压和高电流条件下的稳定运行。此外，由于其良好的短路保护能力，它也非常适合用于需要高可靠性和安全性的工业设备中。
TT251N1200KOF, TTA120N120KOF, TTA160N120KOF
