TT122N18KOF 时间：2025/8/23 17:46:54 阅读：23

TT122N18KOF 是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率应用中的开关操作。该器件采用N沟道结构，具备高电压和高电流能力，适用于电源转换、电机控制、工业自动化和高功率电子系统等领域。TT122N18KOF以其高效的导通能力和可靠的热管理性能著称，适用于要求高稳定性和低损耗的应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏源电压（VDS）：180V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约4.5mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-247AC

特性

TT122N18KOF MOSFET具备多项高性能特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流应用中最小的功率损耗，提高了整体效率。其次，该器件支持高达120A的漏极电流和180V的漏源电压，能够胜任高功率开关任务。此外，其高功率耗散能力（300W）以及优良的热稳定性使其在高温环境下依然能够可靠运行。
　　该MOSFET还具有出色的短路耐受能力和抗过载能力，使其适用于要求高可靠性的工业和汽车电子系统。栅极驱动电压范围宽（±20V），允许使用多种驱动电路，提高设计灵活性。同时，其TO-247AC封装形式具有良好的散热性能，适合安装在散热器上以提高热管理效率。
　　在封装方面，TO-247AC是一种常用的高功率分立器件封装，具有良好的机械强度和电气性能，适用于PCB安装和模块化设计。该器件的制造工艺确保了良好的稳定性和一致性，适合批量应用。

应用

TT122N18KOF广泛应用于多个高功率领域。在电源系统中，它常用于DC-DC转换器、PFC（功率因数校正）电路以及高功率电源模块。在工业控制领域，该MOSFET可用于变频器、伺服驱动器和电机控制模块。此外，在新能源领域，如电动汽车（EV）充电系统、太阳能逆变器和储能系统中，TT122N18KOF也扮演着关键的开关角色。
　　由于其高电流和高电压能力，该器件也常用于高功率LED驱动、焊接设备、电镀电源等需要高可靠性和高效率的系统中。在汽车电子中，它可用于车载充电器（OBC）、电动助力转向系统（EPS）以及其他高压负载管理应用。