CCS050M12CM2 时间：2025/12/28 16:22:08 阅读：8

CCS050M12CM2是一款由英飞凌（Infineon）推出的碳化硅（SiC）功率MOSFET器件，属于CoolSiC?产品系列。该器件采用1200V耐压设计，适用于高效率、高功率密度的电力电子系统。与传统的硅基MOSFET或IGBT相比，CCS050M12CM2具备更低的导通损耗和开关损耗，适合高频开关应用。该器件采用表面贴装封装（SMD），便于自动化生产和高效散热设计。

参数

类型：碳化硅（SiC）MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：1200V
　　最大连续漏极电流（ID）：50A
　　导通电阻（RDS(on)）：40mΩ
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　栅极电荷（Qg）：150nC
　　短路耐受能力：6倍额定电流@10μs

特性

CCS050M12CM2具备多项先进特性，使其在高性能功率转换系统中表现出色。
　　首先，该器件基于碳化硅材料，具备更高的禁带宽度和热导率，从而在高温环境下仍能保持良好的导通和开关性能，并具有更高的可靠性。
　　其次，其导通电阻（RDS(on)）仅为40mΩ，在50A工作电流下产生的导通损耗极低，有助于提升系统整体效率。
　　此外，该器件具备较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（COSS），使得开关损耗显著降低，非常适合高频应用，如DC-DC转换器、逆变器和功率因数校正（PFC）电路。
　　CCS050M12CM2具有出色的短路耐受能力，能够在6倍额定电流下持续10微秒而不损坏，提高了系统在异常工况下的安全性。
　　该器件采用表面贴装封装，具备良好的散热性能和机械稳定性，适用于自动化贴片生产工艺，适用于工业电源、新能源汽车充电设备、光伏逆变器等高要求应用领域。

应用

CCS050M12CM2广泛应用于需要高效、高可靠性和高功率密度的电力电子系统中。例如，该器件常用于工业电源中的DC-DC转换器和功率因数校正（PFC）电路，能够显著提升能效并减小系统体积。在新能源汽车领域，该器件适用于车载充电机（OBC）和高压DC-DC转换器，满足电动汽车对功率器件高可靠性和高效率的要求。此外，该器件也适用于光伏逆变器和储能系统中的功率转换模块，支持更高的开关频率和更小的无源元件设计。在数据中心和服务器电源中，CCS050M12CM2可用于构建高效、紧凑的电源模块，提升能源利用率并降低散热需求。