TT104N16KOF 时间：2025/8/23 17:59:22 阅读：15

TT104N16KOF 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道功率 MOSFET，适用于高电压和高电流的应用场景。该器件采用了先进的技术，具备优异的导通性能和开关特性，广泛用于工业电源、电机驱动、电动汽车充电系统等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：1600V
　　最大漏极电流(Id)：20A
　　导通电阻(Rds(on))：0.15Ω
　　栅极电荷(Qg)：60nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-247

特性

TT104N16KOF 的核心特性之一是其高达 1600V 的漏源击穿电压，使其适用于高压电力电子系统，如太阳能逆变器、高压直流电源转换器等。该器件的导通电阻较低，仅为 0.15Ω，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，其栅极电荷仅为 60nC，支持快速的开关操作，有助于降低开关损耗，提高工作频率。
　　该MOSFET采用了高耐雪崩能量设计，增强了在高能脉冲环境下的稳定性和可靠性。TO-247封装形式提供了良好的散热性能和机械稳定性，适合高功率密度应用。TT104N16KOF 还具备低热阻特性，能够在高温环境下保持稳定运行。

应用

TT104N16KOF 被广泛应用于多种高功率和高电压场景中。典型应用包括：工业电源系统、高压电机驱动、电动汽车充电设备、太阳能逆变器以及储能系统中的功率转换模块。其高耐压、低导通电阻和优异的开关性能使其成为设计高效、可靠电力电子系统的重要组件。此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）系统和高频功率转换器，以满足对能效和体积的严格要求。