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PDN2311S 发布时间 时间:2025/8/7 13:26:08 查看 阅读:28

PDN2311S 是一款由东芝(Toshiba)推出的双极型晶体管(BJT)阵列器件,主要面向需要高集成度和节省PCB空间的应用场景。该器件内含两个NPN型晶体管,采用小型化的SOP(Small Outline Package)封装,适用于多种模拟和数字电路设计。PDN2311S具有良好的匹配性和稳定性,是设计中常用的通用晶体管阵列之一。

参数

晶体管类型:NPN x2
  集电极-发射极电压(Vceo):50V
  最大集电极电流(Ic):100mA(每个晶体管)
  最大功耗(Pd):200mW
  增益带宽积(fT):100MHz
  电流增益(hFE):110~800(根据工作条件)
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:SOP-6

特性

PDN2311S的主要特性之一是其双晶体管集成结构,可以在同一个封装内提供两个独立的NPN晶体管,从而显著减少电路板上的元器件数量并简化布线设计。
  该器件的集电极-发射极电压为50V,最大集电极电流为100mA,适合中低功率的放大和开关应用。此外,其最大功耗为200mW,确保在紧凑设计中仍能保持良好的散热性能。
  PDN2311S的电流增益(hFE)范围为110~800,具体值取决于工作电流和电压条件,这使得它在宽泛的应用环境中都能提供稳定的放大性能。其增益带宽积为100MHz,表明该晶体管在高频应用中也具有良好的响应能力。
  该器件的工作温度范围从-55°C到+150°C,确保其在极端温度环境下仍能可靠运行,适用于工业级和汽车电子等要求严苛的领域。
  PDN2311S采用SOP-6封装,体积小巧,便于自动化生产和高密度PCB布局。这种封装形式还具有良好的电气特性和机械稳定性。

应用

PDN2311S广泛应用于需要双晶体管集成的电子系统中。例如,在音频放大器电路中,它可以作为前置放大器级,提供稳定的增益和低噪声性能。
  在数字电路中,PDN2311S可用于构建多级逻辑门或缓冲器,其高匹配性和稳定性能够提升电路的可靠性和响应速度。此外,该器件也常用于电源管理和负载开关控制电路,利用其100mA的集电极电流能力来控制小型负载,如LED指示灯、小型继电器或传感器电路。
  在工业自动化和控制系统中,PDN2311S可用于信号调理和接口电路,实现传感器信号的放大和处理。其宽广的工作温度范围使其特别适合在工业环境和车载系统中使用。
  消费类电子产品如便携式设备、智能家电和小型电子模块也常采用PDN2311S,以减少PCB尺寸和提高系统集成度。

替代型号

DTC114EKA, 2SC2712, BC847BS

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