时间：2025/7/25 8:49:41
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AP75T12GP-HF 是一款由 Diodes 公司（Diodes Incorporated）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要面向中高功率应用领域。该器件采用先进的沟槽式功率 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高效率和良好的热稳定性。该型号的封装为 TO-252（也称为 DPAK），适用于表面贴装技术（SMT），适合用于电源转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：75A
导通电阻（Rds(on)）：约 2.8mΩ（典型值，Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：160W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：TO-252 / DPAK
AP75T12GP-HF 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。该器件在 Vgs=10V 时的 Rds(on) 仅为约 2.8mΩ，确保在高电流条件下也能保持较低的功率损耗。
该 MOSFET 的最大漏源电压为 100V，连续漏极电流可达 75A，适用于多种中高功率应用。其高电流能力结合良好的热管理性能，使得该器件在重载条件下也能保持稳定工作。
TO-252（DPAK）封装形式支持表面贴装工艺，有助于提高生产效率并减少 PCB 空间占用。该封装还具备良好的散热性能，确保在高功耗环境下器件的可靠性。
AP75T12GP-HF 还具备出色的雪崩能量耐受能力，能够承受短时间的过载或瞬态条件，从而提高系统的鲁棒性和可靠性。此外，其栅极驱动电压范围宽广（通常为 4.5V~20V），适用于多种驱动电路设计，包括使用 PWM 控制的开关电源和电机控制器。
AP75T12GP-HF 广泛应用于需要高效能、高电流能力的电力电子系统中。典型应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车辆（如电动车控制器）、工业自动化设备、服务器电源和高功率 LED 驱动器等。
在电源管理系统中，该 MOSFET 可用于构建高效能的同步整流电路，显著提升电源转换效率。在电池管理系统中，它可作为主开关或均衡开关，控制电池组的充放电过程。在电动工具和电动车控制器中，AP75T12GP-HF 可用于 H 桥结构控制电机的正反转及调速，提供稳定的高电流输出。
由于其优异的导通性能和封装散热能力，该器件也常用于高功率 LED 驱动电路中，以实现高效的恒流控制。在服务器和通信设备的电源模块中，AP75T12GP-HF 常用于主开关和同步整流拓扑结构，以满足高能效和小型化的需求。
AP75T12GU-HF, AP75T12GQ-HF, APM75T12GC-HF
