时间：2025/6/12 6:52:26
阅读：11
TT0514TG是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要应用于功率转换、电机驱动和负载开关等领域。其设计特点在于低导通电阻和高开关速度，能够显著提升系统效率并降低功耗。
该器件采用TO-252封装形式，具有较小的体积和良好的散热性能，适合于空间受限的应用场景。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：4.3A
导通电阻：85mΩ
栅极电荷：7nC
开关时间：ton=12ns, toff=15ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
TT0514TG具备以下突出特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 快速开关能力，支持高频应用。
3. 高可靠性和稳定性，能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
4. 小型化封装设计，节省PCB空间。
5. 内置ESD保护电路，增强了抗静电能力。
TT0514TG适用于多种应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动中的桥式电路。
4. 各类负载开关及保护电路。
5. 消费电子产品的电池管理模块。
IRF530,
FDP5800,
AO3400
