TSUMU882DT7-1 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该芯片采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高耐压和快速开关特性,能够有效提升系统效率并降低能耗。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,适合在高频和高功率应用中使用。其出色的热性能和可靠性设计使其能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:40A
导通电阻:2.5mΩ
栅极电荷:35nC
开关速度:超快
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
TSUMU882DT7-1 具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,提高整体效率。
2. 高速开关能力,支持高频操作,适合现代电力电子设备的需求。
3. 强大的散热性能,确保在高电流和高功率应用场景下仍能保持较低的工作温度。
4. 良好的静电防护(ESD)能力,提高了产品的可靠性和耐用性。
5. 小型化封装设计,便于在紧凑型电路板上进行布局和安装。
TSUMU882DT7-1 主要应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
4. 新能源汽车和电动车中的电池管理系统(BMS)。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
IRFZ44N
STP40NF06L
FDP5800
AO4404