时间：2025/4/28 18:26:18
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TSP50N20M是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，广泛适用于各种功率转换应用，例如开关电源、电机驱动器和负载切换电路等。其额定电压为200V，连续漏极电流可达50A，能够满足高功率密度设计需求。
该芯片以其优异的电气特性和可靠性，在工业控制、汽车电子以及消费类电子产品领域得到了广泛应用。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：50A
导通电阻（典型值）：0.03Ω
栅极阈值电压：4V
总功耗：150W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-220
1. 高耐压能力：TSP50N20M的漏源极电压高达200V，能够在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻：其导通电阻仅为0.03Ω（典型值），可显著降低传导损耗，提高系统效率。
3. 快速开关性能：该器件具备快速开关能力，适合高频应用场合。
4. 良好的热稳定性：芯片采用了先进的制造工艺，确保在高温条件下仍能保持出色的性能。
5. 可靠性高：通过了严格的测试与验证流程，确保长期使用中的高可靠性。
6. 宽温工作范围：支持从-55℃到+175℃的工作温度区间，适应极端环境下的应用需求。
1. 开关电源（SMPS）：
TSP50N20M非常适合用于开关电源中的功率开关管，提供高效稳定的电力转换。
2. 电机驱动：
可用于直流无刷电机或其他类型电机的驱动电路中，实现精确的速度控制和方向切换。
3. 电池管理：
在电池保护电路中作为充放电路径上的关键元件，确保电池安全运行。
4. 工业自动化：
应用于各类工业控制设备中，如PLC模块、变频器等，完成信号放大及执行机构驱动功能。
5. 汽车电子：
适合于车载充电器、LED照明驱动以及电动车窗控制系统等领域。
IRF540N, FQP50N06L, STP50NF20
