时间：2025/5/23 19:14:50
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NTMFS6B14NT1G 是一款 N 沟道逻辑增强型 MOSFET，采用 LFPAK8 封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种功率转换和电机驱动应用。其设计优化了散热性能和 PCB 布局灵活性。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：95A
导通电阻（典型值）：2.7mΩ
栅极电荷：26nC
总电容：1520pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
NTMFS6B14NT1G 具有超低的导通电阻 (Rds(on))，可显著降低功率损耗并提高效率。此外，它具备优异的热稳定性和快速开关能力，适合高频应用场景。LFPAK8 封装提供良好的电气性能和机械可靠性，同时支持表面贴装工艺。
该器件还具有出色的雪崩耐量和 ESD 防护能力，增强了系统的鲁棒性。其高电流承载能力使得它在大功率负载条件下表现出色。
NTMFS6B14NT1G 广泛应用于 DC-DC 转换器、同步整流电路、电机驱动器、电池保护电路以及消费电子设备中的功率管理模块。由于其高电流处理能力和低损耗特点，也非常适合工业自动化、通信电源和汽车电子领域。
NTMFS6B14N
IRLB8748PBF
AO4402A
