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您所在的位置：电子元器件采购网 > IC百科 > NTMFS6B14NT1G

NTMFS6B14NT1G 发布时间 时间：2025/5/23 19:14:50 查看 阅读：23

NTMFS6B14NT1G 是一款 N 沟道逻辑增强型 MOSFET，采用 LFPAK8 封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种功率转换和电机驱动应用。其设计优化了散热性能和 PCB 布局灵活性。

目录

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：95A
　　导通电阻（典型值）：2.7mΩ
　　栅极电荷：26nC
　　总电容：1520pF
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

NTMFS6B14NT1G 具有超低的导通电阻 (Rds(on))，可显著降低功率损耗并提高效率。此外，它具备优异的热稳定性和快速开关能力，适合高频应用场景。LFPAK8 封装提供良好的电气性能和机械可靠性，同时支持表面贴装工艺。
　　该器件还具有出色的雪崩耐量和 ESD 防护能力，增强了系统的鲁棒性。其高电流承载能力使得它在大功率负载条件下表现出色。

应用

NTMFS6B14NT1G 广泛应用于 DC-DC 转换器、同步整流电路、电机驱动器、电池保护电路以及消费电子设备中的功率管理模块。由于其高电流处理能力和低损耗特点，也非常适合工业自动化、通信电源和汽车电子领域。

替代型号

NTMFS6B14N
　　IRLB8748PBF
　　AO4402A

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NTMFS6B14NT1G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A（Ta），50A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）15 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）20 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1300 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）3.1W（Ta），77W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  • 封装/外壳8-PowerTDFN，5 引线

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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