TSP4N60M 时间：2025/8/7 12:25:31 阅读：20

TSP4N60M 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于中高功率应用。该器件采用TO-220封装，具有良好的热性能和电流承载能力，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和各种功率电子设备中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为2.5Ω（最大值3.0Ω）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1V至3V
　　最大栅极电压（Vgs）：±30V
　　最大功耗（Pd）：40W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

TSP4N60M具有低导通电阻，能够在高电压下实现高效的功率转换，降低导通损耗。
　　其高耐压能力（600V）使其适用于多种电源转换应用，包括AC-DC电源适配器和离线式开关电源。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性，TO-220封装提供了良好的散热性能，确保在高功率负载下仍能保持稳定运行。
　　此外，TSP4N60M的栅极驱动简单，易于与PWM控制器配合使用，实现精确的开关控制。
　　器件内部结构优化，具有较高的dv/dt耐受能力，减少开关过程中的电磁干扰（EMI）。
　　由于其较高的可靠性和稳定的性能，TSP4N60M广泛应用于工业控制、消费类电子产品和电源管理系统中。

应用

TSP4N60M主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、逆变器和电机驱动电路。
　　此外，它还可用于LED照明驱动、家电控制模块、工业自动化设备以及需要高效功率开关的场合。
　　由于其良好的热性能和高耐压特性，TSP4N60M也适用于需要长时间运行的高可靠性系统，如通信设备和不间断电源（UPS）等。