时间：2025/8/15 4:07:58
阅读：4
TSP275SC是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和高功率密度的电源系统中。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池充电系统等领域。TSP275SC采用TO-252（DPAK）封装，有助于在有限的空间内实现高效的功率处理能力。
类型：功率MOSFET
封装类型：TO-252（DPAK）
最大漏极电流（ID）：100A
最大漏极-源极电压（VDS）：30V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为4.5mΩ（在VGS=10V时）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V至4.0V
最大功耗（PD）：125W
工作温度范围：-55°C至+175°C
栅极电荷（Qg）：典型值为75nC
漏极-源极击穿电压（BVDSS）：30V
最大工作频率：1MHz（适用于高频开关应用）
TSP275SC具有多项先进的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高整体效率。该器件的高电流处理能力（最大漏极电流为100A）使其适用于大功率应用。TSP275SC采用了先进的沟槽栅极技术，提供了快速的开关性能，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。
此外，TSP275SC具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其TO-252封装设计不仅提供了良好的散热性能，还便于在PCB上安装和布局。该器件的栅极电荷较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高系统效率。
TSP275SC的工作温度范围较宽，从-55°C到+175°C，适用于各种恶劣环境条件下的应用。其栅极阈值电压范围适中，确保了在常见的驱动电路中能够可靠地开启和关闭。该MOSFET还具有较高的抗短路能力和过载能力，适用于需要高可靠性的电源系统。
TSP275SC广泛应用于多种功率电子系统中。其主要应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机控制电路、电源管理系统、电池充电器以及各种高功率开关电源。由于其高效率和高功率密度的特性，TSP275SC也常用于工业自动化设备、汽车电子系统、通信设备和消费类电子产品中的电源管理模块。
在DC-DC转换器中，TSP275SC可以作为主开关器件，提供高效的能量转换。在电机控制系统中，它可用于控制电机的驱动电流，实现精确的速度和转矩调节。在电池充电器应用中，TSP275SC能够提供稳定的充电电流，并支持快速充电功能。此外，该器件还可用于LED照明驱动、电源适配器和UPS（不间断电源）系统等应用场景。
TSP275SC的替代型号包括IRF1324S-7PPBF（由Infineon生产）和SiR136DP-T1-GE3（由Vishay生产）。这些型号在参数性能和封装形式上与TSP275SC相近，可在部分应用中作为替代选项。
