RFP75N06 时间：2025/12/29 14:31:28 阅读：12

RFP75N06是一款由STMicroelectronics制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种功率电子设备中。该器件设计用于高效能开关应用，具有低导通电阻和高电流处理能力，适合在高频率和高功率密度环境中工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：75A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.018Ω（典型值）
　　功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-220、TO-247等

特性

RFP75N06具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻确保了在导通状态下功率损耗极低，从而提高了整体系统效率。其次，该器件的高电流处理能力使其能够在高负载条件下稳定工作，而不会发生热失控。此外，RFP75N06采用了先进的封装技术，提供了良好的热管理能力，有助于将热量快速散发，确保长期可靠运行。该MOSFET还具备快速开关特性，适用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机控制等应用。其高栅极绝缘能力（±20V）也增强了器件在复杂电气环境中的稳定性。
　　此外，RFP75N06的封装设计便于安装和散热，适用于多种工业标准散热器和PCB布局。该器件的热阻（Rth）较低，有助于在高功率运行时维持较低的结温，从而延长器件寿命并提升系统可靠性。其优异的短路耐受能力也使其在突发故障条件下具备更高的安全性。

应用

RFP75N06广泛应用于多个领域，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、电机控制电路、逆变器、负载开关以及工业自动化设备。在电动车和可再生能源系统中，该MOSFET常用于功率调节和能量管理。此外，它也适用于需要高效率和高可靠性的汽车电子系统，如车载充电系统和电动助力转向控制模块。