时间：2025/9/14 20:21:40
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PTVS43VS1UTR,115 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的一款低电压双向瞬态电压抑制器（TVS）二极管，主要用于保护电子电路免受静电放电（ESD）、浪涌及其他瞬态电压的损害。该器件采用先进的硅雪崩二极管技术，在极短时间内响应瞬态电压，为敏感电子元件提供高效保护。其设计适用于低电压应用场景，例如便携式消费电子产品、工业控制系统以及汽车电子设备等。
类型：双向TVS二极管
工作电压：4.3V
钳位电压：7.8V（最大值）
峰值脉冲电流（8/20μs）：5A
反向关态电压：4.3V
漏电流（最大值）：10μA
封装形式：SOT23
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
PTVS43VS1UTR,115 的核心特性之一是其快速响应时间，通常在亚纳秒级别，能够迅速抑制电压瞬变并保护下游电路。该器件采用双向保护结构，可同时保护正负极性的瞬态电压，非常适合复杂电磁环境下的应用。
另一个显著特性是其低钳位电压，这意味着在瞬态事件发生时，TVS能够将电压控制在较低水平，从而减少对受保护设备的潜在损害。这对于使用低压集成电路的应用尤为重要。
此外，PTVS43VS1UTR,115 采用SOT23小型封装，适合空间受限的电路板设计，并且具有优异的热稳定性和可靠性，可在高温环境下稳定运行。该器件符合IEC 61000-4-2（ESD抗扰度）标准，适用于需要高电磁兼容性（EMC）性能的系统。
PTVS43VS1UTR,115 常用于各种需要瞬态电压保护的场合，例如USB接口、HDMI端口、音频/视频输入输出线路、传感器接口等。在消费电子领域，该器件可用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等产品的数据线保护。在工业应用中，它可被集成于PLC（可编程逻辑控制器）、人机界面（HMI）以及通信模块中，以提高系统稳定性和可靠性。此外，在汽车电子中，PTVS43VS1UTR,115 也可用于车载娱乐系统、导航设备以及车载诊断接口的保护电路。
PESD5V0S1BA,115; ESD5Z5.0V; SMAJ5.0CA
