TSP160SA 时间：2025/8/15 3:30:11 阅读：4

TSP160SA 是一款由东芝（Toshiba）公司推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频率开关应用和电源管理系统。该器件采用了先进的沟槽式（Trench）MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于需要高效能和紧凑设计的电源设备。TSP160SA 是一款N沟道MOSFET，广泛用于DC-DC转换器、同步整流、电池管理系统以及工业自动化设备等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：160A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.7mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　封装形式：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　功耗（Pd）：200W

特性

TSP160SA 的核心特性之一是其超低导通电阻（Rds(on)），仅为2.7mΩ，这大大降低了导通损耗，提高了电源转换效率。此外，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使得在高频率开关应用中具有更佳的性能表现。
　　该功率MOSFET的封装形式为TO-247，具有良好的热管理和散热能力，适用于高功率密度设计。其最大连续漏极电流可达160A，适用于高电流需求的应用场景，如大功率DC-DC转换器和工业电机驱动器。
　　TSP160SA 还具有较高的栅极电压耐受能力，最大栅源电压为±20V，确保在各种工作条件下稳定运行。同时，其工作温度范围宽，可在-55°C至150°C之间正常工作，适用于工业级和汽车电子应用。
　　由于其优异的导通特性和开关性能，TSP160SA 在高频开关电源中表现出色，能够有效减少开关损耗并提高整体系统效率。该器件还具备良好的抗雪崩能力，提高了在高压和高电流条件下的可靠性。

应用

TSP160SA 广泛应用于多种高功率电子设备中，尤其是在需要高效能功率转换的场合。其主要应用包括大功率DC-DC转换器、同步整流模块、电池管理系统（BMS）以及电机驱动器等。
　　在服务器电源和通信电源系统中，TSP160SA 可用于构建高效能的同步整流电路，显著提升转换效率并减少热量产生。此外，在工业自动化控制系统中，该器件可作为高电流开关使用，适用于PLC（可编程逻辑控制器）和变频器等设备。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，TSP160SA 也可用于功率调节和能量管理模块，确保系统的稳定性和高效运行。由于其优异的热性能和高电流承载能力，该器件特别适用于需要长时间高负荷工作的应用环境。