EDZVT2R9.1B 时间：2025/12/25 10:49:41 阅读：13

EDZVT2R9.1B是一款由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）生产的表面贴装齐纳二极管，属于EDZV系列。该系列二极管采用小型SOD-523封装，具有较小的尺寸和较高的可靠性，适用于现代电子设备中对空间要求严格的电路设计。EDZVT2R9.1B的标称齐纳电压为2.91V，在额定电流条件下可提供稳定的参考电压输出。该器件主要用于电压箝位、电源保护、信号电平调节以及作为基准电压源等应用场合。其低功耗特性和快速响应能力使其非常适合用于便携式电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备及各类消费类电子产品的电源管理与信号调理电路中。此外，该齐纳二极管经过优化设计，具备良好的温度稳定性和长期稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致。

参数

类型：齐纳二极管
　　封装/外壳：SOD-523
　　标称齐纳电压(Vz)：2.91V
　　测试电流(Iz)：5mA
　　最大齐纳阻抗(Zz)：200Ω
　　最大功率耗散(Pd)：200mW
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　反向漏电流(IR)：< 1μA @ VR = 1V
　　电压容差：±2%
　　极性：单向齐纳二极管

特性

EDZVT2R9.1B齐纳二极管具备优异的电气性能和热稳定性，能够在微小封装下实现可靠的电压调节功能。其核心特性之一是低动态电阻，这确保了在负载变化时输出电压的稳定性，有效减少电压波动对敏感电路的影响。该器件在5mA的测试电流下表现出精确的2.91V齐纳电压，配合±2%的高精度容差，适合需要精密参考电压的应用场景。
　　该二极管采用先进的芯片制造工艺，提升了击穿区域的均匀性，从而降低了噪声水平，并增强了瞬态响应能力。即使在输入电压发生突变的情况下，也能迅速进入稳压状态，防止下游电路受到过压冲击。同时，由于其反向漏电流极低（小于1μA），在低功耗待机模式或电池供电系统中不会造成显著的能量损耗，有助于延长设备续航时间。
　　SOD-523封装不仅体积小巧（典型尺寸约为1.6mm x 1.2mm x 0.8mm），还具备良好的散热性能，使器件能在200mW的功率范围内安全运行。该封装符合RoHS环保标准，支持无铅回流焊工艺，适用于自动化贴片生产线。此外，EDZVT2R9.1B具有出色的温度系数优化设计，在-55°C至+150°C的宽结温范围内仍能维持稳定的电压输出，避免因环境温度变化引起的漂移问题。
　　该器件还通过了AEC-Q101车规级可靠性认证，表明其在高温、高湿、振动等严苛环境下仍能保持长期稳定工作，因此不仅可用于工业控制领域，也可应用于汽车电子中的传感器接口、MCU供电监测等关键部位。整体而言，EDZVT2R9.1B是一款集高精度、小尺寸、高可靠性和良好热性能于一体的高性能齐纳二极管，满足现代电子系统对微型化与高性能并重的需求。

应用

广泛应用于便携式电子设备中的电压参考和稳压电路，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备；用于电源管理单元中的过压保护和电平检测；在模拟信号调理电路中作为钳位元件防止信号失真；适用于需要精密基准电压的ADC或DAC偏置电路；也可用于微控制器复位电路、I/O端口保护以及电池供电系统的低功耗稳压设计；此外，在工业传感器模块和汽车电子控制系统中也常被用作电压基准或ESD防护元件。