TSP10N60S 时间：2025/12/26 22:49:50 阅读：10

TSP10N60S是一款高压功率MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的平面条纹式硅栅极技术制造。该器件设计用于高效率开关应用，具备优良的散热性能和高可靠性，适用于多种电源转换系统。其额定电压为600V，连续漏极电流在25°C下约为10A，能够承受较高的瞬态电压和电流应力。TSP10N60S通常采用TO-220或TO-220F封装形式，具有良好的热稳定性和机械强度，便于安装于散热片上以增强散热能力。该MOSFET广泛应用于AC-DC转换器、开关电源（SMPS）、照明镇流器、DC-DC变换器以及电机驱动等电力电子领域。由于其低导通电阻（RDS(on)）与快速开关特性，能有效降低功率损耗，提高系统整体效率。此外，TSP10N60S内置了快速恢复体二极管，可在感性负载关断时提供反向电流通路，进一步提升电路的稳定性与安全性。该器件符合RoHS环保标准，适合无铅焊接工艺，在工业控制、消费电子及家电产品中均有广泛应用。

参数

型号：TSP10N60S
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：10A
　　脉冲漏极电流（IDM）：40A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 10V）：0.75Ω
　　阈值电压（VGS(th) typ）：3V
　　输入电容（Ciss）：1200pF
　　输出电容（Coss）：180pF
　　反向恢复时间（trr）：约35ns
　　最大功耗（PD）：125W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-220F

特性

TSP10N60S具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与高耐压能力的结合。该器件采用先进的平面条纹结构和硅栅技术，优化了载流子迁移路径，显著降低了导通损耗，从而提升了系统效率。其RDS(on)典型值在VGS=10V时仅为0.75Ω，这意味着在大电流工作条件下仍能保持较低的温升，有助于减少散热设计复杂度并降低成本。同时，600V的高击穿电压使其适用于通用市电整流后的主开关电路，尤其适合全球范围内的宽电压输入电源设备。
　　该MOSFET具有良好的开关速度，输入电容和输出电容较小，配合快速的栅极驱动响应，可实现高频开关操作，适用于几十kHz至数百kHz的工作频率范围。这使得它在小型化电源设计中表现出色，如适配器、充电器和LED驱动电源等。此外，集成的体二极管具有较快的反向恢复特性（trr约35ns），减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），提高了系统的可靠性和EMC兼容性。
　　在可靠性方面，TSP10N60S能够在-55°C到+150°C的宽结温范围内稳定运行，适应严苛的工业环境。器件通过了多项国际安全与环保认证，支持无铅回流焊工艺，满足现代绿色电子产品制造要求。其TO-220封装不仅具备优良的热传导性能，还提供了足够的电气隔离能力（特别是TO-220F版本），可用于需要绝缘安装的应用场景。综合来看，TSP10N60S是一款性价比高、性能稳定的中功率MOSFET，适用于对成本和效率都有一定要求的中低端电源市场。

应用

TSP10N60S广泛应用于各类中低功率开关电源系统中。常见用途包括AC-DC开关电源（SMPS），如手机充电器、笔记本电脑适配器、电视机电源板等消费类电子产品；也用于LED照明驱动电源，尤其是离线式恒流驱动方案中作为主控开关管使用。此外，在工业控制领域的DC-DC变换器、电机驱动模块、继电器驱动电路以及小型逆变电源中也有广泛应用。
　　由于其600V的额定电压，TSP10N60S特别适合接入整流后的220V交流电网（峰值电压约311V），并留有充足的安全裕量，确保在电网波动或雷击浪涌情况下仍能可靠工作。因此，它常被用作反激式（Flyback）或正激式（Forward）拓扑结构中的主开关器件。在节能灯电子镇流器和冷阴极荧光灯（CCFL）驱动电路中，该MOSFET也能发挥出色的高频开关性能。
　　在家电产品中，如微波炉、洗衣机、空调控制器等内部辅助电源部分，TSP10N60S同样是一个常见的选择。它的高耐用性和抗雪崩能力使其能在频繁启停和负载突变的环境中长期稳定运行。此外，一些小型UPS不间断电源、电池充电管理系统（BMS）中的隔离驱动环节也会选用此类器件进行功率切换控制。总体而言，TSP10N60S因其良好的性价比和成熟的技术平台，在中小功率电力转换领域占据重要地位。