TSP075SB 是一款由东芝(Toshiba)公司生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)功率晶体管,广泛用于需要高效功率控制的电子设备中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET结构,具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性等优点。TSP075SB属于N沟道增强型MOSFET,适用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关、电池供电设备等多种应用领域。其封装形式为SOP(Small Outline Package),适合表面贴装工艺,有助于提高电路板的组装效率。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):100mA
导通电阻(Rds(on)):0.75Ω(最大值)
功耗(Pd):200mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOP-4
TSP075SB MOSFET具有多项显著的技术特性,适用于多种低功率应用场景。
首先,该器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构,能够在较小的芯片面积上实现较低的导通电阻(Rds(on)),从而有效降低导通损耗。其最大导通电阻为0.75Ω,在低电流应用中可以保持较高的效率。
其次,TSP075SB的漏源电压(Vds)为30V,能够满足低压功率控制的需求,适用于电池供电设备和小型电源系统。其栅源电压(Vgs)为±20V,提供了良好的栅极驱动兼容性,支持与多种控制电路的直接连接。
此外,该器件的连续漏极电流(Id)为100mA,适用于低至中等功率的开关和驱动应用。其最大功耗为200mW,结合SOP-4封装形式,能够提供良好的热管理和散热性能,确保在不同工作环境下的稳定运行。
TSP075SB的工作温度范围为-55°C至+150°C,存储温度范围也为-55°C至+150°C,表现出良好的环境适应性,适用于工业级和消费类电子产品。
最后,该MOSFET采用SOP-4封装,适合表面贴装技术(SMT),提高了PCB组装的效率和可靠性。这种封装形式也有助于简化电路设计,减少占用空间,适合紧凑型电子设备的使用。
TSP075SB MOSFET由于其低导通电阻、小封装和高可靠性,被广泛应用于多个电子领域。
在电源管理方面,该器件常用于DC-DC转换器中的开关元件,实现高效的电压转换,适用于便携式电子设备和嵌入式系统。此外,它也适用于负载开关电路,能够有效控制电源供应,提高系统能效。
在电机驱动应用中,TSP075SB可用于小型直流电机的控制,提供稳定的开关性能,适用于玩具、小型机器人和家用电器中的电机驱动模块。
消费电子产品方面,该MOSFET常用于电池供电设备中的电源控制,如智能手表、蓝牙耳机和其他低功耗可穿戴设备。其低功耗特性和小尺寸封装使其成为这些设备的理想选择。
在工业控制领域,TSP075SB可用于传感器信号切换、继电器替代以及自动控制系统中的低功率开关,提供可靠的控制功能。
此外,该器件也可用于LED驱动电路,实现对小型LED灯组的高效控制,适用于照明系统和显示背光控制。
TSP075SB的替代型号包括TSP075SC、TSP075SA以及2N7002K。