IRF8113UTRPBF 时间：2025/12/26 19:09:11 阅读：8

IRF8113UTRPBF是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高性能、低电压N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率的电源管理应用设计。该器件封装在小型化的PowerPAK SO-8L热增强型封装中，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷（Qg），适用于需要高电流密度和快速开关能力的场合。由于其优异的热性能和电气特性，IRF8113UTRPBF广泛用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用领域。该器件符合RoHS标准，并且无铅（Pb-free），满足现代电子产品对环保和可靠性的要求。其额定工作电压为30V，最大连续漏极电流可达12.5A，在10V栅源电压下典型RDS(on)仅为9.5mΩ，使其在低电压、大电流应用场景中表现出色。此外，该MOSFET具备良好的雪崩能量耐受能力和抗瞬态过压能力，提升了系统在恶劣工况下的稳定性与可靠性。

参数

型号：IRF8113UTRPBF
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：Power MOSFET
　　类型：N沟道
　　工作电压：30V
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：12.5A @ 10V VGS
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：50A
　　导通电阻（RDS(on)）：9.5mΩ @ VGS = 10V
　　导通电阻（RDS(on)）：12mΩ @ VGS = 4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：16mΩ @ VGS = 2.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：870pF @ VDS = 15V
　　反向恢复时间（trr）：19ns
　　开启延迟时间（td(on)）：8ns
　　关断延迟时间（td(off)）：38ns
　　上升时间（tr）：34ns
　　下降时间（tf）：15ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8L
　　安装类型：表面贴装
　　功耗（PD）：2.5W @ TC = 25°C
　　通道数：单通道

特性

IRF8113UTRPBF采用英飞凌先进的沟槽式MOSFET工艺，显著降低了导通电阻与寄生电感，从而在高频开关应用中实现更高的能效和更低的功率损耗。其超低的RDS(on)特性在2.5V至10V宽范围栅极驱动条件下均保持稳定，特别适合电池供电设备和低压DC-DC转换器，如笔记本电脑、移动电源和便携式消费电子产品中的同步降压变换器。器件的低栅极电荷（Qg）设计有效减少了驱动损耗，提高了系统的整体效率，并支持更高的开关频率运行，有助于减小外围滤波元件的体积和成本。
　　该器件具备出色的热性能，得益于PowerPAK SO-8L封装内部集成的散热焊盘和优化的热阻路径，能够将芯片结温高效传导至PCB，提升长期工作的可靠性。此外，IRF8113UTRPBF具有较低的输入和输出电容，减少了开关过程中的能量损耗，同时降低电磁干扰（EMI），有利于通过EMC认证。其快速的开关响应时间（包括开启和关断延迟）确保了在动态负载变化下的快速调节能力，适用于多相VRM（电压调节模块）和POL（点负载）电源架构。
　　器件还具备良好的体二极管性能，反向恢复时间短，减少了反向恢复电荷（Qrr），从而降低了在桥式或同步整流拓扑中的交叉导通风险和损耗。该MOSFET支持逻辑电平驱动，可在3.3V或5V微控制器直接驱动下正常工作，简化了驱动电路设计。此外，其坚固的结构设计和严格的生产测试流程确保了高良率和长期可靠性，适用于工业控制、汽车电子（非动力系统）、通信电源等多种严苛环境。

应用

IRF8113UTRPBF广泛应用于需要高效、紧凑电源解决方案的电子系统中。常见用途包括同步整流型DC-DC降压转换器，特别是在多相 buck 转换器中作为下管（low-side）MOSFET使用，因其低RDS(on)和快速开关特性可显著提高转换效率。它也适用于负载开关电路，用于控制电源域的通断，防止浪涌电流，保护后级电路。在电池管理系统（BMS）和电源路径管理中，该器件可用于充放电控制和电源选择切换。此外，它还可用于电机驱动电路中的H桥低端开关、LED驱动电源、热插拔控制器以及各类便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和超极本的电源管理模块。由于其良好的热性能和小型封装，特别适合空间受限但散热要求较高的应用场合。工业自动化设备中的传感器供电、PLC模块电源以及电信设备的分布式电源架构中也常采用该器件以提升系统效率和可靠性。