KDZTR36B 时间：2025/12/25 11:01:15 阅读：19

KDZTR36B是一款由东芝（Toshiba）公司生产的表面贴装小信号P沟道MOSFET晶体管，广泛应用于便携式电子设备中的电源管理和开关控制电路。该器件采用SOT-23（SC-59）小型封装，具有低导通电阻、快速开关响应和高可靠性等特点，适用于空间受限的高密度印刷电路板设计。KDZTR36B主要用于电压电平转换、负载开关、电池供电系统的电源控制以及LED驱动等应用场合。其P沟道结构允许在栅极施加低电平时导通，简化了逻辑接口设计，特别适合与微控制器或数字逻辑电路配合使用。该MOSFET经过优化，在低电压工作条件下仍能保持良好的性能表现，支持现代低功耗电子产品对能效和尺寸的严苛要求。此外，KDZTR36B符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于无铅焊接工艺，确保在回流焊过程中具备良好的热稳定性和机械可靠性。

参数

型号：KDZTR36B
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大连续漏极电流（ID）：-100mA
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-280mA
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤ 3.6Ω @ VGS = -4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤ 4.5Ω @ VGS = -2.5V
　　输入电容（Ciss）：约 110pF @ VDS=10V, f=1MHz
　　输出电容（Coss）：约 45pF @ VDS=10V, f=1MHz
　　反向传输电容（Crss）：约 15pF @ VDS=10V, f=1MHz
　　栅极阈值电压测试条件：VDS = -3V, ID = -1mA
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23 (SC-59)
　　功率耗散（Pd）：200mW @ Ta=25°C

特性

KDZTR36B作为一款高性能P沟道MOSFET，具备多项关键特性以满足现代电子系统的设计需求。首先，其低导通电阻特性使其在电源开关应用中能够有效降低功耗和发热，提升整体能效。例如，在电池供电设备中，较小的RDS(on)意味着更少的能量损耗，从而延长电池使用寿命。其次，该器件在低栅极驱动电压下即可实现充分导通，支持与3.3V或更低逻辑电平直接接口，无需额外电平转换电路，简化了系统设计复杂度。
　　该MOSFET采用先进的沟槽型技术制造，实现了优异的载流子迁移效率和稳定的电气性能。其阈值电压范围合理，确保在不同工作条件下均能可靠开启和关断，避免误触发或导通延迟问题。同时，器件具备良好的热稳定性，能够在高温环境下维持正常工作，适用于工业级和消费类电子产品。
　　KDZTR36B的小型SOT-23封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，适合自动化贴片生产流程。此外，器件内部结构经过优化，具有较低的寄生电容，有助于提高开关速度并减少开关损耗，特别适用于高频开关操作场景。综合来看，这款MOSFET在性能、尺寸和可靠性之间达到了良好平衡，是中小功率开关应用的理想选择。

应用

KDZTR36B广泛应用于各类低电压、低电流的开关与控制电路中。常见用途包括便携式消费电子产品中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电源路径控制。它可用于控制不同功能模块的上电时序，防止浪涌电流影响系统稳定性。此外，在电池供电系统中，该器件常用于电池反接保护、充电状态指示或电源切换逻辑。
　　在数字逻辑电平转换电路中，KDZTR36B可作为双向电平移位器的一部分，实现不同电压域之间的信号传递，尤其适用于I2C、SPI等串行通信总线的电平匹配。由于其P沟道特性，能够在主控芯片输出低电平时迅速导通，完成信号传递或电源接通动作。
　　该器件也常用于LED驱动电路中，作为简单的开关元件控制LED的亮灭，尤其适合指示灯或背光控制应用。在嵌入式系统和微控制器外围电路中，KDZTR36B可用于使能/禁用特定外设模块，实现动态功耗管理。此外，工业传感器、医疗电子设备和智能家居控制器等对空间和功耗敏感的应用也广泛采用此类小型MOSFET来优化系统性能。