类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：50A
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.033Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247
　　最大功耗（PD）：200W

TSP058SC 具备多个显著的技术特性，首先是其低导通电阻（RDS(on)），这一特性使得在高电流应用中可以显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，该晶体管采用了先进的沟槽式MOSFET结构，增强了电流的导通能力并提升了整体的热稳定性。
　　其次，TSP058SC 拥有较高的最大漏极电流能力（50A），这使其非常适合用于高功率放大器和电源转换设备。其60V的漏-源击穿电压也为电路设计提供了较大的安全裕量，适用于多种中高压应用场景。
　　该器件的封装形式为TO-247，这种封装方式具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。此外，TSP058SC 的栅极驱动电压范围较宽，支持+10V至+20V之间的驱动电压，便于与多种驱动电路兼容。
　　最后，TSP058SC 的工作温度范围为-55°C至+150°C，表现出良好的热适应性和稳定性，适用于严苛的工作环境。

TSP058SC 主要应用于高功率音频放大器、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率开关元件。由于其低导通电阻和高电流能力，该晶体管在音频放大器设计中被广泛用于输出级，以提供高保真音频输出。同时，其高可靠性和热稳定性也使其成为电源管理系统和高功率LED驱动器的理想选择。
　　在电源管理领域，TSP058SC 可用于构建高效率的同步整流电路，提升电源转换效率。此外，在工业自动化和电机控制应用中，它能够作为高速开关元件使用，确保系统的稳定运行并降低能耗。

IRF1405, STP55NF06, FDP047N06