晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23

LMP22D5N3T5G晶体管具备多项出色的性能特点，使其在多种应用中表现出色。
　　首先，该晶体管的最大集电极电流为100 mA，适合中等功率的放大和开关应用。其最大集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为50 V，这意味着它可以在相对较高的电压下工作，提供了更大的设计灵活性。
　　其次，LMP22D5N3T5G的最大功耗为300 mW，在SOT-23封装中具有良好的热性能，能够在高密度PCB设计中保持稳定运行。该晶体管的电流增益（hFE）范围为110至800，具体值取决于工作电流和电压条件，这种宽范围的增益使其能够适应多种电路设计需求。
　　此外，该晶体管的过渡频率（fT）为100 MHz，表明它能够在较高的频率下保持良好的放大性能，适用于射频和高速开关应用。LMP22D5N3T5G的工作温度范围为-55°C至150°C，使其能够在极端环境条件下可靠运行，适用于工业和汽车电子等要求较高的应用领域。
　　最后，SOT-23封装不仅节省空间，还简化了PCB布局，提高了生产效率。这些特性共同使LMP22D5N3T5G成为一款适用于多种高性能模拟和数字电路的理想选择。

LMP22D5N3T5G晶体管广泛应用于多个电子系统领域。
　　在射频（RF）放大器设计中，该晶体管凭借其100 MHz的过渡频率和良好的增益特性，常用于低噪声放大器和中频放大器。它也适用于无线通信系统中的信号增强和调制解调电路。
　　在开关电路中，LMP22D5N3T5G的100 mA集电极电流能力和50 V的电压耐受性，使其能够驱动继电器、LED灯组和小型电机等负载。该晶体管在数字电路中也常用于电平转换和信号缓冲。
　　在模拟电路设计中，LMP22D5N3T5G可用于构建放大器、比较器和稳压电路。其宽范围的hFE值允许设计者根据不同的应用需求调整电路性能。
　　此外，由于其-55°C至150°C的宽工作温度范围，LMP22D5N3T5G也适用于汽车电子系统、工业控制设备和户外通信设备。例如，在汽车电子中，它可以用于发动机控制模块、车载娱乐系统和传感器接口电路。
　　总之，LMP22D5N3T5G凭借其高频性能、可靠性和紧凑的SOT-23封装，成为多种电子设计中的重要元件。

BC547, 2N3904, PN2222A