GA1210Y272JBCAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该芯片采用先进的制造工艺,在导通电阻、开关速度和热性能等方面表现出色。其封装形式适合高密度组装需求,同时具备优异的电气特性和可靠性。
型号:GA1210Y272JBCAR31G
类型:N-Channel MOSFET
漏源极电压(Vds):60V
连续漏极电流(Id):40A
栅极阈值电压(Vgs(th)):2.5V 至 4.5V
导通电阻(Rds(on)):3mΩ(典型值,Vgs=10V)
功耗(PD):180W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247-3
GA1210Y272JBCAR31G 具有低导通电阻和高电流承载能力,这使其在高效功率转换应用中表现出色。
1. 低导通电阻 (Rds(on)):
在 Vgs=10V 时,典型值仅为 3mΩ,有助于降低传导损耗,提高整体效率。
2. 快速开关性能:
优化的栅极电荷设计使得开关时间更短,从而减少开关损耗。
3. 高温稳定性:
可承受高达 175℃ 的结温,确保在极端环境下的可靠运行。
4. 增强的 ESD 保护:
内置静电放电防护电路,提高了器件的抗干扰能力。
5. 小型化封装:
TO-247-3 封装提供了良好的散热性能,同时节省了 PCB 空间。
这款功率 MOSFET 主要用于需要高效率和高功率密度的设计场景。
1. 开关电源 (SMPS):
包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器,适用于工业设备和消费类电子产品。
2. 电机驱动:
提供高效的电流控制,支持无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机的应用。
3. 太阳能逆变器:
作为功率级的核心元件,实现能量转换和调节功能。
4. 电动车系统:
应用于电池管理系统 (BMS) 和牵引逆变器中,满足严苛的汽车标准要求。
5. 工业自动化:
为 PLC、伺服控制器等提供稳定的功率输出。
IRFP2907ZPBF, FDP16N60E, STP40NF60