时间：2025/3/26 17:00:22
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TSM7N90CI 是一款由 TOSHIBA 生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用 TO-263-3 封装，具有高耐压和低导通电阻的特点，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。其最大漏源极电压为 90V，适用于多种工业及消费类电子设备。
最大漏源极电压：90V
连续漏极电流：7A
栅源开启电压：2.1V~4.0V
导通电阻：35mΩ（典型值，在 Vgs=10V 下）
总功耗：83W
工作结温范围：-55℃~175℃
1. 高耐压设计使其能够承受高达 90V 的漏源极电压，确保在高压环境下的稳定运行。
2. 其导通电阻仅为 35mΩ（典型值），有助于降低功率损耗并提高系统效率。
3. 它支持较宽的工作温度范围（75℃），适合恶劣环境下使用。
4. 低栅极电荷量设计优化了开关速度，从而减少开关损耗。
5. TO-263-3 封装形式提供了良好的散热性能，方便 PCB 布局设计。
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率级开关。
2. 电机驱动电路中的功率输出级。
3. 各种负载切换和保护电路。
4. 逆变器和电池管理系统中的功率控制元件。
5. LED 驱动器和 DC-DC 转换器中的开关元件。
IRFZ44N, FQP50N06L
