时间：2025/5/7 9:55:45
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IKW50N65F5是英飞凌（Infineon）推出的一款N沟道增强型MOSFET，属于CoolMOS系列。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，非常适合用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其它高频功率转换应用。其额定电压为650V，能够承受较高的漏源极电压，确保在高压环境下的可靠运行。
IKW50N65F5的封装形式为TO-247-3，这种封装方式有助于提高散热性能，并支持大电流操作。此外，这款MOSFET还具备较低的栅极电荷和输出电容，从而优化了开关损耗，使其在高频应用中表现出色。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：50A
导通电阻（典型值）：130mΩ
栅极电荷（Qg）：85nC
总电容（Ciss）：2250pF
输出电容（Crss）：390pF
输入电容（Ciss）：2250pF
工作结温范围：-55℃ to +175℃
IKW50N65F5的主要特性包括：
1. 高额定电压650V，适用于各种高压场景。
2. 低导通电阻（Rds(on)），减少导通损耗，提高效率。
3. 极低的栅极电荷和输出电容，降低开关损耗，提升开关速度。
4. 良好的热性能，采用TO-247-3封装，有效管理热量。
5. 宽广的工作结温范围（-55℃到+175℃），适应恶劣环境条件。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
7. 出色的雪崩能力，增强可靠性。
IKW50N65F5适用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）设计中的功率开关元件。
2. 工业电机驱动和控制中的逆变器电路。
3. 各种类型的DC-DC转换器，如降压或升压拓扑结构。
4. 太阳能逆变器中的功率级组件。
5. 电动汽车和混合动力汽车的充电系统。
6. 其他需要高效功率转换和控制的应用领域。
IKW50N65H5,
IKW50N65P5,
IPP50N65S5
