时间：2025/6/12 14:38:51
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TSM7N65CZ 是一款由东芝（Toshiba）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-220 封装形式，具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特点。广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等需要高效能功率控制的场景。
TSM7N65CZ 的最大漏源极电压为 650V，使其非常适合高压应用环境，同时其较低的导通电阻有助于减少传导损耗，提高整体系统效率。
最大漏源极电压：650V
连续漏极电流：7A
导通电阻：0.65Ω
栅极电荷：43nC
输入电容：1250pF
最大工作结温：175℃
封装形式：TO-220
1. 高耐压能力，适合高压工业应用。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低功率损耗。
3. 快速开关性能，适用于高频开关电源设计。
4. 内置雪崩击穿保护功能，增强器件在异常条件下的可靠性。
5. 支持高达 175℃ 的工作结温，确保高温环境下稳定运行。
6. 标准 TO-220 封装，便于安装与散热设计。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率开关元件。
3. DC-DC 转换器及逆变器的核心功率级元件。
4. 各类工业控制设备中的负载切换。
5. LED 照明系统的恒流驱动电路。
6. 其他需要高压、大电流开关的应用场景。
IRF840A
STP7NK65Z
FDP8416
