时间：2025/6/23 21:01:36
阅读：5
CKC21C562JDGAC7800 是一款高性能的功率MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能够在高频应用中提供高效能表现。
这款MOSFET适用于要求高效率、低损耗的设计场景，能够显著降低系统功耗并提高整体性能。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：14A
导通电阻(Rds(on))：0.4Ω
总功耗(Ptot)：150W
工作温度范围：-55°C to +175°C
封装形式：TO-247
CKC21C562JDGAC7800 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，提升系统效率。
2. 高击穿电压 (650V)，确保在高压环境下具备出色的可靠性。
3. 快速开关速度，支持高频应用，减少开关损耗。
4. 超低输入电容和输出电容，进一步优化了开关性能。
5. 优异的热稳定性，即使在高温条件下也能保持稳定的性能。
6. 符合RoHS标准，环保设计。
这些特性使得 CKC21C562JDGAC7800 成为工业和消费类电子产品的理想选择。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动
4. 逆变器
5. LED驱动器
6. 工业自动化设备
由于其高耐压能力和低导通电阻，CKC21C562JDGAC7800 在需要高效功率转换和驱动的应用中表现出色。
CKC21C560JBGAC7800, IRF840, STP140NF75
