时间：2025/10/8 4:48:51
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TSM1NB60CW RPG是一款由东芝（Toshiba）公司生产的MOSFET功率晶体管，专为高效率开关电源应用而设计。该器件采用先进的沟槽栅极和薄片硅技术，具备低导通电阻和优异的开关性能，适用于多种电源转换场景。其型号中的“60C”表明该MOSFET的漏源击穿电压（Vds）为650V，适合在高压环境中稳定工作。此外，“W”可能代表其封装形式为表面贴装型（如SOP或类似小型化封装），有助于提升PCB布局的灵活性并降低寄生电感。RPG后缀通常用于标识特定的卷带包装规格，便于自动化贴片生产。
TSM1NB60CW RPG主要面向消费类电子产品中的AC-DC转换器，例如手机充电器、笔记本适配器、LED驱动电源以及待机电源等。其设计优化了导通损耗与开关损耗之间的平衡，在连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CrM）PFC电路中表现出色。该器件还集成了快速体二极管，有助于减少反向恢复电荷（Qrr），从而降低电磁干扰（EMI）并提高系统整体效率。
型号：TSM1NB60CW RPG
制造商：Toshiba
产品类型：MOSFET
通道类型：N沟道
漏源电压（Vds）：650V
连续漏极电流（Id）：1.2A（@25°C）
脉冲漏极电流（Idm）：4.8A
导通电阻（Rds(on)）：典型值9.5Ω（@Vgs=10V）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 3.0V
输入电容（Ciss）：约35pF（@Vds=25V）
输出电容（Coss）：约15pF（@Vds=25V）
反向恢复时间（trr）：约30ns
最大功耗（Pd）：30W
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOP Advance 或类似表面贴装封装
TSM1NB60CW RPG采用东芝专有的超结（Super Junction）结构技术，显著提升了器件在高压条件下的性能表现。这种结构通过交替排列P型和N型柱状区域，有效降低了漂移区的电阻，从而在保持高击穿电压的同时实现极低的导通电阻（Rds(on)）。这不仅减少了导通状态下的功率损耗，还提高了能效，尤其适用于追求高能效标准（如Energy Star、CoC Tier 2）的应用场合。此外，该MOSFET具有出色的热稳定性，能够在高温环境下长时间运行而不发生性能退化。
该器件的栅极电荷（Qg）非常低，典型值仅为12nC左右，这意味着驱动电路所需的能量更少，有利于简化驱动设计并降低控制芯片的负载。低Qg结合快速开关能力，使得TSM1NB60CW RPG在高频开关应用中表现出色，可支持高达100kHz以上的开关频率，有助于减小磁性元件体积，进而实现电源系统的微型化。同时，其输入电容和反馈电容（Crss）之间的比值经过优化，增强了抗噪声能力，防止因米勒效应引起的误触发问题。
为了提升可靠性，TSM1NB60CW RPG内置了良好的雪崩耐受能力，并通过严格的AEC-Q101测试认证（若适用），确保在瞬态过压或负载突变情况下仍能安全运行。其封装采用环保材料，符合RoHS和无卤素要求，适应现代绿色电子制造趋势。此外，该器件还具备较低的寄生参数，减少了高频工作时的振铃现象，进一步改善EMI性能。这些综合特性使其成为中小功率开关电源中理想的主开关或PFC开关元件。
TSM1NB60CW RPG广泛应用于各类中小型功率开关电源系统中，特别是在需要高效、紧凑设计的消费类电子产品中发挥重要作用。常见应用包括智能手机、平板电脑及笔记本电脑的AC-DC电源适配器，其中它常被用作主控开关管或有源钳位电路中的关键组件，帮助实现高于90%的转换效率。此外，该器件也适用于LED照明驱动电源，尤其是在离线式恒流驱动方案中，能够有效提升功率因数并降低总谐波失真（THD）。
在家电领域，TSM1NB60CW RPG可用于空调、洗衣机、冰箱等设备的辅助电源（Auxiliary Power Supply）或待机电源模块，满足待机功耗低于1W的严苛能效要求。由于其具备良好的动态响应能力和温度稳定性，也可用于工业控制设备中的DC-DC转换器前端开关，或作为反激式变换器（Flyback Converter）中的主开关器件。在智能家居网关、路由器、IoT设备等低功耗网络设备中，该MOSFET同样展现出优异的性价比和可靠性。
此外，该器件还可用于PFC升压电路中，特别是在过渡模式（TM）或临界导通模式（BCM）下工作的升压PFC拓扑中，凭借其快速体二极管和低Qrr特性，可有效抑制二极管反向恢复带来的电流尖峰，提升系统效率并减少EMI滤波器成本。总体而言，TSM1NB60CW RPG适用于所有对空间、效率和可靠性有较高要求的中低压直流供电系统。
TK090N60WS,TSM1NC60,STL1N60-12
