时间：2025/12/28 19:00:06
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TSM650P03CX RFG 是东芝（Toshiba）生产的一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频应用。这款MOSFET采用先进的工艺制造，具备优异的电气性能和热稳定性，适用于如电源转换、马达控制、逆变器以及各种高效率开关应用。
类型：功率MOSFET
型号：TSM650P03CX RFG
封装类型：表面贴装（SMD）
最大漏源电压（Vds）：30V
最大漏极电流（Id）：180A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：3.2mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：160nC
工作温度范围：-55°C至175°C
最大耗散功率（Pd）：200W
漏源击穿电压（BVDSS）：30V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
TSM650P03CX RFG MOSFET采用了先进的沟槽式（Trench）技术，实现了非常低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了能效。该器件的封装设计优化了热管理，有助于在高电流应用中保持较低的工作温度，提高可靠性。
此外，该MOSFET具有较高的开关速度，适用于高频操作，有助于减小外部滤波元件的尺寸，提升整体系统效率。其高栅极电荷（Qg）意味着在开关过程中需要较高的驱动功率，但同时也保证了良好的开关稳定性和抗干扰能力。
该器件的额定工作温度范围广泛（从-55°C到175°C），适用于各种严苛环境下的应用，如汽车电子、工业自动化、电机控制和电源系统等。
TSM650P03CX RFG 主要用于需要高电流、低导通损耗和高效率的功率电子系统中。典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机控制电路、电源管理模块以及汽车电子系统中的功率控制单元。
由于其高电流能力和低导通电阻，它也常用于高功率负载开关、逆变器和UPS（不间断电源）系统。在新能源汽车、工业自动化设备以及高性能电源系统中，这款MOSFET能够提供稳定的性能和出色的可靠性。
TSM650P03CX RFG 的替代型号包括SiS650DN-T1-GE3、FDMS86180 和 Nexperia 的PMV30XPE。
