时间：2025/6/30 13:07:39
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TSM60N03CPROG 是一款高性能的 N 治道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为需要低导通电阻和快速开关性能的应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。其封装形式紧凑，非常适合空间受限的设计环境。
该 MOSFET 具有较低的栅极电荷和输出电容，因此在高频开关应用中表现出色，同时其出色的热特性和鲁棒性使其能够在严苛的工作条件下稳定运行。
型号：TSM60N03CPROG
类型：N 治道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
持续漏极电流（Id）：30 A
导通电阻（Rds(on)）：4.5 mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总栅极电荷（Qg）：29 nC（典型值）
输入电容（Ciss）：1780 pF（典型值）
开关速度：快速开关
封装形式：TO-220FP
TSM60N03CPROG 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，得益于低栅极电荷和优化的内部结构，适合高频应用。
3. 高电流承载能力，额定漏极电流高达 30A，确保在大电流应用中的稳定性。
4. 紧凑型封装，节省 PCB 空间，便于高密度布局。
5. 良好的热性能，能够有效散热以应对高功率场景。
6. 宽范围的工作电压（最高可达 60V），适用于多种电压等级的电路设计。
7. 出色的抗静电能力和可靠性，满足工业级应用需求。
TSM60N03CPROG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（Switching Power Supplies），如 DC-DC 转换器、PWM 控制器等。
2. 电机驱动和控制电路，例如步进电机、无刷直流电机等。
3. 电池管理系统（BMS），用于电池充放电保护和能量管理。
4. 工业自动化设备中的功率切换和负载控制。
5. 太阳能逆变器和 UPS 系统，提供高效的功率转换。
6. 各种需要低导通损耗和快速开关特性的电子设备。
TSM60N03D, IRF540N, FDP5800
