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2SD2212T100 发布时间 时间:2025/12/25 10:58:46 查看 阅读:25

2SD2212T100是一款由东芝(Toshiba)公司生产的NPN型双极结型晶体管(BJT),主要用于中等功率放大和高速开关应用。该器件采用先进的平面硅技术制造,具有良好的热稳定性和可靠性,适用于工业控制、消费电子以及通信设备中的多种电路设计需求。其封装形式为小型表面贴装型SOT-89,有助于在紧凑的PCB布局中实现高效散热和高密度组装。由于具备较高的直流电流增益和较低的饱和电压特性,这款晶体管在电源管理模块、DC-DC转换器驱动级、继电器或电机驱动电路中表现出色。此外,2SD2212T100通过了AEC-Q101车规级认证,表明其能够在恶劣环境条件下稳定工作,适合汽车电子系统使用。
  该晶体管的设计优化了开关速度与功耗之间的平衡,使其不仅可用于线性放大场合,也广泛应用于脉宽调制(PWM)控制、LED照明驱动及小信号开关电路中。其最大集电极电流可达1.5A,最大集电极-发射极电压为60V,能够满足大多数中低压应用场景的需求。同时,产品符合RoHS环保标准,无铅且不含卤素,适应现代绿色电子产品制造趋势。制造商提供了完整的数据手册和技术支持文档,便于工程师进行参数建模、热分析和可靠性评估,确保在实际应用中发挥最佳性能。

参数

类型:NPN BJT
  集电极-发射极电压(Vceo):60 V
  集电极-基极电压(Vcb):70 V
  发射极-基极电压(Veb):6 V
  集电极电流(Ic):1.5 A
  总功耗(Ptot):800 mW
  工作结温范围(Tj):-55 至 +150 ℃
  存储温度范围(Tstg):-55 至 +150 ℃
  直流电流增益(hFE):120 至 400 @ Ic = 500 mA, Vce = 3 V
  过渡频率(fT):150 MHz
  饱和电压(Vce(sat)):≤ 0.3 V @ Ic = 500 mA, Ib = 50 mA
  封装:SOT-89

特性

2SD2212T100晶体管具有优异的电气特性和稳定性,其核心优势体现在高电流增益、快速开关响应以及良好的热性能表现上。该器件的直流电流增益(hFE)在典型工作条件下可达到120至400之间,确保了在不同负载下仍能维持稳定的放大能力,减少因增益波动引起的信号失真问题。这一特性使其非常适合用于音频前置放大、传感器信号调理等对增益一致性要求较高的模拟电路中。
  其次,该晶体管具备出色的高频响应能力,过渡频率(fT)高达150MHz,意味着它可以在高频开关电源、射频驱动级或高速数字逻辑接口中有效运行,显著降低开关延迟和上升/下降时间,从而提升整体系统效率。结合较低的集电极-发射极饱和电压(Vce(sat) ≤ 0.3V @ Ic=500mA),在导通状态下功耗极低,有利于提高能效并减少散热设计复杂度。
  从结构上看,SOT-89封装不仅体积小巧,还具备较强的散热能力,允许器件在较高功率下持续运行而不会过热损坏。同时,该封装形式支持自动化贴片生产,提高了制造效率和一致性。更重要的是,2SD2212T100通过了AEC-Q101车规认证,表明其在高温、高湿、振动等严苛环境下仍能保持长期可靠运行,适用于车载充电系统、车身控制模块、风扇电机驱动等汽车电子应用。
  此外,该器件具有良好的安全工作区(SOA)特性,能够在瞬态过载情况下提供一定程度的自我保护能力,避免因短时过流或电压冲击导致永久性损坏。综合来看,2SD2212T100是一款兼顾高性能、高可靠性和环保合规性的通用中功率晶体管,适用于广泛的工业与消费类电子设计场景。

应用

2SD2212T100广泛应用于需要中等功率开关或信号放大的电子电路中。常见用途包括DC-DC转换器中的驱动级晶体管,用于控制升压或降压拓扑结构中的能量传递;在LED照明驱动电路中作为恒流调节元件,实现亮度控制与过流保护功能。
  此外,该器件也常被用于继电器驱动、小型直流电机控制、电源使能开关以及各类数字逻辑电平转换电路中,凭借其快速响应能力和足够的电流承载力,能够有效隔离微控制器与负载之间的电气连接,防止反向电动势干扰主控单元。
  在汽车电子领域,得益于其AEC-Q101认证,该晶体管可用于车身控制系统如车窗升降、雨刷驱动、座椅调节等子系统中,承担执行器的驱动任务。
  同时,在工业自动化设备中,它也被用于PLC输出模块、传感器信号缓冲放大器、报警指示灯控制等场合。消费类电子产品如电视机、音响设备、智能家居控制器中也能见到其身影,用于音频信号放大、电源管理切换等功能模块。由于其封装小型化且易于焊接,特别适合空间受限的便携式设备设计。总之,2SD2212T100凭借其多方面的性能优势,在多个行业中实现了广泛应用。

替代型号

MMBT3904、2SD1863T100、KSC2785YFTA

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2SD2212T100产品

2SD2212T100参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.5V @ 1mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)1000 @ 1A,2V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装MPT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称2SD2212T100-ND2SD2212T100TR