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SDB1365MT2R2 发布时间 时间:2025/12/26 0:17:23 查看 阅读:20

SDB1365MT2R2是一款由SILERGY(矽力杰)公司生产的高性能同步降压DC-DC转换器芯片,采用恒定导通时间(COT)控制模式,适用于宽输入电压范围的电源管理应用。该器件集成了高压侧和低压侧功率MOSFET,能够提供高达3A的持续输出电流,具备高效率、低静态电流和小尺寸封装等优点,广泛应用于工业控制、消费电子、网络通信设备以及分布式电源系统中。SDB1365MT2R2通过内部补偿设计简化了外部电路,降低了设计复杂度,同时支持陶瓷输出电容,有助于减小整体解决方案尺寸并提升瞬态响应性能。该芯片工作频率典型值为1.2MHz,允许使用小型外围元件,进一步优化PCB布局空间。其封装形式为TSOT23-6,具有良好的热性能和可靠性,适合在紧凑型电子产品中使用。此外,SDB1365MT2R2内置多种保护功能,包括过流保护、过温保护和欠压锁定,确保系统在异常条件下安全运行。

参数

型号:SDB1365MT2R2
  制造商:SILERGY(矽力杰)
  封装/外壳:TSOT23-6
  输入电压范围:4.5V 至 18V
  输出电压范围:0.8V 至 90% VIN
  最大输出电流:3A
  开关频率:1.2MHz(典型值)
  控制模式:COT(恒定导通时间)
  静态电流:30μA(典型值,关断模式)
  工作结温范围:-40°C 至 +125°C
  集成MOSFET:是(上下管均集成)
  反馈参考电压:0.8V ±1%
  关断电流:1μA(最大值)
  占空比范围:0% 至 100%

特性

SDB1365MT2R2采用恒定导通时间(COT)控制架构,具有极快的瞬态响应能力,能够在负载快速变化时迅速调整输出电压,保持系统稳定。这种控制方式无需外部环路补偿,显著简化了电源设计流程,尤其适合对动态性能要求较高的应用场景。其内部集成了经过优化的高边和低边功率MOSFET,不仅提高了整体转换效率,还减少了对外部元件的依赖,提升了系统的可靠性和抗干扰能力。
  该芯片支持宽输入电压范围(4.5V~18V),可兼容多种供电来源,如12V系统总线或电池供电平台,适用性广泛。其1.2MHz的高开关频率使得可以使用小体积的电感和陶瓷电容,有效缩小整个电源模块的物理尺寸,满足现代电子产品对小型化和轻薄化的需求。同时,高频操作也有助于避开敏感频段,减少电磁干扰(EMI)问题。
  SDB1365MT2R2具备出色的轻载效率表现,得益于其智能脉冲跳跃模式(PSM)与强制PWM模式之间的自动切换机制,在不同负载条件下均可维持高效运行。当负载较轻时进入节能模式以降低功耗;重载时则切换至PWM模式确保输出稳定性。这一特性使其非常适合用于便携式设备或待机功耗敏感的应用场合。
  此外,芯片内置全面的保护机制,包括逐周期限流、打嗝模式过流保护、热关断和输入欠压锁定(UVLO)。这些保护功能不仅能防止因短路或过载导致的损坏,还能在温度过高时自动切断输出,待温度恢复后重新启动,增强了系统的鲁棒性。TSOT23-6封装具有优良的散热性能,即使在高功率密度环境下也能保持良好工作状态。

应用

SDB1365MT2R2广泛应用于各类需要高效、小型化DC-DC降压解决方案的电子系统中。常见用途包括工业自动化设备中的传感器供电、PLC模块电源、小型电机驱动控制器等,其宽输入电压范围和高可靠性特别适合工业级应用环境。
  在消费类电子产品方面,该芯片可用于智能家居设备、无线路由器、机顶盒、USB PD电源适配器的次级稳压模块,以及便携式音频播放器等产品中,提供稳定的低压电源。由于其低静态电流和高轻载效率,非常适合由电池供电的设备,有助于延长续航时间。
  在网络通信领域,SDB1365MT2R2可用于为FPGA、ASIC、微处理器核心或I/O接口供电,特别是在空间受限的嵌入式通信模块中表现出色。其快速瞬态响应能力可有效应对数字芯片突发电流需求,避免电压跌落影响系统稳定性。
  此外,该器件也适用于LED照明驱动、汽车电子辅助电源(如车载信息娱乐系统)、分布式电源架构中的点负载转换(POL),以及各种基于3.3V、5V或1.8V逻辑系统的中间轨生成。凭借其高集成度和简化的设计流程,SDB1365MT2R2成为许多工程师在中等功率降压转换设计中的优选方案。

替代型号

MP2317DJ-LF-Z

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