时间：2025/11/19 14:31:58
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CL21B474KBFNNNF是一款由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于通用型X7R电介质系列，广泛应用于各类电子设备中，用于电源去耦、滤波、旁路和信号耦合等电路功能。其封装尺寸为0805（公制2012），适合表面贴装技术（SMT），具有良好的焊接可靠性和空间利用率。该电容器采用镍障金属化端电极结构，具备较强的抗硫化能力和耐久性，适用于工业、消费类及部分汽车电子应用环境。
型号中的编码遵循三星的命名规则：CL代表陶瓷电容，21表示尺寸代码0805，B代表X7R温度特性，474表示标称电容值为470nF（即0.47μF），K表示电容容差为±10%，B代表额定电压为50Vdc，F表示端头电极材料为镍/锡，NNN表示无铅且符合RoHS环保标准。整体设计注重稳定性与可靠性，在宽温度范围内能保持较稳定的电容性能。
电容值：470nF (0.47μF)
容差：±10%
额定电压：50Vdc
温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，电容变化不超过±15%）
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
封装尺寸：0805（2.0mm × 1.25mm）
介质材料：X7R陶瓷
端电极结构：Ni/Sn（镍/锡）
安装方式：表面贴装（SMD）
RoHS合规性：是
抗硫化性能：具备
CL21B474KBFNNNF所采用的X7R陶瓷介质是一种稳定型铁电材料，能够在极端温度条件下维持相对恒定的电容值，其电容随温度的变化控制在±15%以内，远优于Z5U或Y5V等高介电常数材料。这种温度稳定性使其特别适用于需要长期可靠运行的模拟电路、电源管理模块以及信号调理系统中。此外，X7R材料还表现出较低的电容老化率，通常每年小于2.5%，确保了产品在整个生命周期内的性能一致性。
该电容器的结构设计优化了机械强度和热匹配特性，减少了因PCB热膨胀差异导致的裂纹风险。其内部叠层结构由数十至数百层陶瓷与内电极交替堆叠而成，提高了单位体积下的电容密度，同时保持较低的等效串联电阻（ESR）和适度的频率响应能力。虽然不适用于高频谐振电路（如RF匹配网络），但在去耦和中低频滤波应用中表现优异。
CL21B474KBFNNNF具备良好的直流偏压特性，在施加接近额定电压的直流偏置时，仍能保留较高比例的标称电容值，优于许多同类高容值但介质为Y5V的产品。这一特性使其在电源后级滤波中尤为实用，例如为运算放大器、ADC/DAC或微控制器供电轨提供稳定的局部储能。
此外，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温存储、温度循环、湿度寿命试验和耐电压测试，符合AEC-Q200的部分要求（视具体批次而定），可用于对稳定性有较高要求的应用场景。其无铅端头电极为回流焊工艺提供了良好的润湿性，并兼容现代绿色制造流程。
CL21B474KBFNNNF常用于各类电子系统的电源去耦设计，尤其是在数字IC和模拟IC的供电引脚附近，用于吸收瞬态电流波动并抑制噪声传播。它广泛应用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、电视和机顶盒中，作为DC-DC转换器输出端的滤波电容或稳压器旁路元件。在工业控制领域，该电容器被用于PLC模块、传感器信号调理电路和人机界面设备中，以提高系统的电磁兼容性（EMC）性能。
由于其具备一定的温度稳定性和可靠性，也常见于通信设备中的接口保护电路和时钟生成单元，用于滤除电源线上的共模干扰和高频纹波。在网络设备如路由器、交换机中，该电容常用于PHY芯片周边的电源净化电路。
此外，在汽车电子次级系统中（如车载信息娱乐系统、车身控制模块等），尽管不属于严格意义上的车规级认证器件，但在非关键路径中仍有使用案例，前提是制造商已进行充分的环境验证。该电容器还可用于医疗仪器、测试测量设备和智能仪表等中高端应用场合，承担信号通路中的交流耦合任务或构建二阶无源滤波网络。
CL21A474KBHNNNE
CL21B474KBBNNNC
GRM21BR71H474KA01L
C2012X7R1H474K050AB
