类型：N 沟道
　　漏源电压（VDS）：500V
　　连续漏极电流（ID）@ 25°C：5A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 2.2Ω（典型值 1.8Ω）
　　栅极电荷（Qg）：21nC（典型值）
　　封装形式：TO-220
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　技术：SuperMESH

TSM5ND50CPRO 是一款基于 STMicroelectronics 先进 SuperMESH 技术的 N 沟道 MOSFET，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能。其漏源电压为 500V，适用于多种高电压应用。该器件的栅极电荷较低，有助于减少高频开关应用中的开关损耗，提高系统效率。此外，TSM5ND50CPRO 在 TO-220 封装中具有良好的热性能，能够有效散热，适合在高功率密度设计中使用。
　　该 MOSFET 还具有良好的雪崩能量耐受能力，能够在突发电压冲击下保持稳定运行，从而提高系统的可靠性和耐用性。同时，其栅极驱动要求较低，兼容常见的 10V 和 12V 栅极驱动电压，简化了驱动电路的设计。TSM5ND50CPRO 的低导通损耗和快速开关特性使其在开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制、照明系统和消费类电源设备中表现出色。

TSM5ND50CPRO 广泛应用于开关电源（SMPS）、AC-DC 转换器、LED 照明驱动、电机控制电路、不间断电源（UPS）、电池充电器以及各种工业和消费类电子设备中的功率管理模块。其低导通电阻和高耐压特性使其成为高效率、高可靠性电源设计的理想选择。

STP5NK50ZFP | FQP5N50C | IRF840 | 2SK2296 | 2SK2648