型号：TSM500P02CX
　　制造商：Toshiba
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20 V
　　栅源电压（VGS）：±8 V
　　连续漏极电流（ID）：5.0 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：14 A
　　导通电阻（RDS(ON)）：17 mΩ @ VGS = 4.5 V
　　导通电阻（RDS(ON)）：20 mΩ @ VGS = 2.5 V
　　阈值电压（Vth）：0.6 V ~ 1.0 V
　　栅极电荷（Qg）：5.5 nC @ VDS = 10 V
　　输入电容（Ciss）：330 pF @ VDS = 10 V
　　输出电容（Coss）：110 pF @ VDS = 10 V
　　反向恢复时间（trr）：15 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP Advance (SOPA)

TSM500P02CX具备多项关键技术特性，使其在同类低电压MOSFET中具有显著优势。首先，其超低导通电阻是核心亮点之一，在VGS=4.5V时RDS(ON)仅为17mΩ，这极大地减少了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体效率。这对于电池供电设备尤为重要，能够延长续航时间并减少发热。其次，该器件采用了东芝独有的沟槽栅极结构设计，不仅提升了单位面积的载流能力，还有效降低了寄生参数的影响，使得开关速度更快、响应更灵敏。同时，较低的栅极电荷（Qg=5.5nC）意味着驱动电路所需提供的能量更少，有利于简化栅极驱动设计，并进一步降低动态功耗。
　　另一个重要特性是其出色的热性能表现。得益于优化的芯片布局和封装材料选择，TSM500P02CX能够在高电流负载下维持较低的温升，确保长时间工作的可靠性。其最大工作结温可达+150°C，满足严苛环境下的使用需求。此外，该MOSFET对瞬态电压变化具有较强的耐受能力，具备一定的雪崩能量承受能力，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。内置的体二极管也经过特别优化，具有较短的反向恢复时间（trr=15ns），可有效抑制换流过程中的电压尖峰，适用于同步整流等高频应用场景。
　　从制造工艺角度看，TSM500P02CX基于成熟的硅基CMOS兼容工艺生产，良率高且一致性好，适合大规模批量应用。其小型化SOP Advance封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能和机械强度，支持自动化贴片装配，适用于现代高密度电子组装流程。整体而言，该器件在性能、尺寸、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是中低功率开关应用的理想选择。

TSM500P02CX广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适用于需要高效能、小体积和快速响应的场合。常见应用包括便携式电子设备中的电源管理单元，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的DC-DC降压或升压转换器，用于实现电池电压到核心IC供电电压的高效转换。此外，它也被大量用于电机驱动电路，特别是在微型直流电机、步进电机的H桥驱动中作为开关元件，凭借其低RDS(ON)和快速开关特性，可有效减少能耗和发热。
　　在工业控制领域，TSM500P02CX可用于传感器供电开关、继电器驱动、LED背光调光电路以及各类I/O端口的电源切换。由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，因此在环境复杂的工业现场也能稳定运行。另外，该器件还可作为负载开关使用，在系统上电过程中控制不同模块的供电顺序，防止浪涌电流冲击主电源。在通信设备中，常用于PoE（以太网供电）终端的次级侧电源管理或接口保护电路。
　　除此之外，TSM500P02CX也适用于电池充电管理电路中的通路FET，或作为反向电流阻断器件使用。其低阈值电压特性使其能够兼容3.3V甚至更低逻辑电平的控制器输出，无需额外电平转换即可直接驱动，简化了系统设计。总之，凡是涉及低压大电流开关控制、高效率能量转换或紧凑型电源设计的场景，TSM500P02CX都是一种极具竞争力的解决方案。

TPSMB202NL
　　Si2302DDS-T1-E3
　　AOZ5205A