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TSM085P03CV 发布时间 时间:2025/7/22 9:27:09 查看 阅读:6

TSM085P03CV 是一款由东芝(Toshiba)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件属于P沟道MOSFET类型,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适用于负载开关、DC-DC转换器、电池管理系统以及各种需要高效功率控制的电路设计。

参数

类型:P沟道 MOSFET
  最大漏极电流(Id):8A
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):@Vgs=10V时,最大为8.5mΩ;@Vgs=4.5V时,最大为12mΩ
  功耗(Pd):2.5W
  封装形式:SOP-8

特性

TSM085P03CV 具备一系列优异的电气和物理特性,使其在各种功率应用中表现出色。
  首先,其低导通电阻(Rds(on))特性使得在高电流条件下,导通损耗显著降低,从而提高了整体系统效率。在Vgs=10V时,Rds(on)最大为8.5mΩ,在Vgs=4.5V时,Rds(on)最大为12mΩ,这使得该器件既适用于标准栅极驱动电压,也能在较低驱动电压下保持良好的性能。
  其次,该MOSFET具有较高的电流承载能力,额定漏极电流为8A,适用于中高功率应用。同时,最大漏源电压(Vds)为30V,允许其在多种电压环境下稳定工作。
  此外,TSM085P03CV 采用SOP-8封装,具备良好的热管理和空间利用率,适用于紧凑型PCB设计。其封装结构也支持高效的自动贴片装配工艺,便于大规模生产。
  该器件还具备良好的抗静电能力和较高的可靠性,符合工业级电子元器件的标准要求。因此,TSM085P03CV 可广泛应用于电源管理模块、负载开关、电机控制、电池供电设备以及各类DC-DC转换器中。

应用

TSM085P03CV 主要应用于以下领域:
  1. **电源管理模块**:用于DC-DC降压或升压转换器中作为高边或低边开关,提高转换效率并减少热损耗。
  2. **负载开关电路**:用于控制电源通断,保护后级电路免受过载或短路损坏。
  3. **电池管理系统(BMS)**:用于电池充放电控制,提高电池组的安全性和使用寿命。
  4. **电机驱动电路**:用于小型电机或马达的开关控制,实现高效的能量传输。
  5. **工业控制设备**:如PLC、工业电源、自动化设备中的功率开关器件。
  6. **消费类电子产品**:如笔记本电脑、平板电脑、智能家电等设备中的电源开关和功率调节电路。

替代型号

Si2301DS, AO4407A, FDN340P, TSM090P03CV

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TSM085P03CV参数

  • 现有数量0现货
  • 价格10,000 : ¥7.11527卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)-
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8.5 毫欧 @ 14A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)55 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3234 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.4W(Ta),50W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-PDFN(3.1x3.1)
  • 封装/外壳8-PowerWDFN