TSM085P03CV 是一款由东芝(Toshiba)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件属于P沟道MOSFET类型,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适用于负载开关、DC-DC转换器、电池管理系统以及各种需要高效功率控制的电路设计。
类型:P沟道 MOSFET
最大漏极电流(Id):8A
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):@Vgs=10V时,最大为8.5mΩ;@Vgs=4.5V时,最大为12mΩ
功耗(Pd):2.5W
封装形式:SOP-8
TSM085P03CV 具备一系列优异的电气和物理特性,使其在各种功率应用中表现出色。
首先,其低导通电阻(Rds(on))特性使得在高电流条件下,导通损耗显著降低,从而提高了整体系统效率。在Vgs=10V时,Rds(on)最大为8.5mΩ,在Vgs=4.5V时,Rds(on)最大为12mΩ,这使得该器件既适用于标准栅极驱动电压,也能在较低驱动电压下保持良好的性能。
其次,该MOSFET具有较高的电流承载能力,额定漏极电流为8A,适用于中高功率应用。同时,最大漏源电压(Vds)为30V,允许其在多种电压环境下稳定工作。
此外,TSM085P03CV 采用SOP-8封装,具备良好的热管理和空间利用率,适用于紧凑型PCB设计。其封装结构也支持高效的自动贴片装配工艺,便于大规模生产。
该器件还具备良好的抗静电能力和较高的可靠性,符合工业级电子元器件的标准要求。因此,TSM085P03CV 可广泛应用于电源管理模块、负载开关、电机控制、电池供电设备以及各类DC-DC转换器中。
TSM085P03CV 主要应用于以下领域:
1. **电源管理模块**:用于DC-DC降压或升压转换器中作为高边或低边开关,提高转换效率并减少热损耗。
2. **负载开关电路**:用于控制电源通断,保护后级电路免受过载或短路损坏。
3. **电池管理系统(BMS)**:用于电池充放电控制,提高电池组的安全性和使用寿命。
4. **电机驱动电路**:用于小型电机或马达的开关控制,实现高效的能量传输。
5. **工业控制设备**:如PLC、工业电源、自动化设备中的功率开关器件。
6. **消费类电子产品**:如笔记本电脑、平板电脑、智能家电等设备中的电源开关和功率调节电路。
Si2301DS, AO4407A, FDN340P, TSM090P03CV