时间：2025/8/13 19:39:31
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1SS181LT1G是一款由ON Semiconductor生产的硅肖特基二极管，广泛用于高频开关应用。该器件采用了先进的肖特基势垒技术，具备低正向压降和快速恢复时间的特性，适用于需要高效能和高频操作的电子电路。1SS181LT1G通常采用SOD-323（LT1）封装，适合表面贴装应用，适用于消费电子、工业控制和通信设备等多种领域。
类型：肖特基二极管
最大重复峰值反向电压：30V
最大平均整流电流：100mA
正向压降（IF=10mA时）：最大0.35V
反向漏电流（VR=30V时）：最大100nA
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOD-323（LT1）
存储温度范围：-55°C至+150°C
1SS181LT1G作为一款高性能肖特基二极管，具备多项优良特性。首先，其低正向压降（IF=10mA时最大为0.35V）能够有效减少能量损耗，提高系统的整体效率。这在电池供电设备或需要节能设计的应用中尤为重要。其次，该器件具有快速恢复时间，通常小于5ns，使其非常适合高频开关应用，例如DC-DC转换器、高频整流电路以及信号处理系统。
此外，1SS181LT1G的最大反向电压为30V，最大平均整流电流为100mA，适合多种低功率应用场景。其反向漏电流在VR=30V时最大仅为100nA，确保了在高阻断状态下仍能保持良好的稳定性。该器件的封装形式为SOD-323（LT1），体积小巧，适合表面贴装工艺，便于自动化生产并节省PCB空间。
在环境适应性方面，1SS181LT1G的工作温度范围为-55°C至+150°C，能够在极端温度条件下稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。同时，其存储温度范围也覆盖-55°C至+150°C，确保在各种存储和运输条件下不会损坏。
1SS181LT1G广泛应用于需要高效、高频整流的电子设备中。其主要应用包括DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、高频整流电路、信号解调电路、电池充电器以及便携式电子产品中的电源管理模块。此外，该器件还可用于射频（RF）电路中的检波器和混频器部分，提供快速响应和低损耗的性能表现。在工业自动化和控制系统中，1SS181LT1G可用于隔离电路、极性保护电路以及电压钳位电路，提高系统的稳定性和可靠性。
1N5711, 1N5817, RB520S-30
