TSG40N55V 时间：2025/7/23 11:02:24 阅读：6

TSG40N55V是一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高电压应用中，例如电源转换、电机控制和功率放大器等。该器件采用先进的硅技术制造，具备良好的导通特性和较低的开关损耗，适用于各种工业和汽车电子系统。TSG40N55V采用TO-247封装，提供良好的热管理和高可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：40A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：550V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.12Ω
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

TSG40N55V具有多种优异的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。其高耐压特性（550V VDS）允许其在高压系统中可靠运行，适用于电源转换器和逆变器等应用。该器件的低导通电阻（RDS(on)）减少了导通损耗，提高了系统效率，同时降低了工作时的发热。TSG40N55V的高电流能力（40A ID）使其能够处理大功率负载，适用于电机驱动和电源管理应用。此外，该器件的TO-247封装提供了良好的散热性能，确保在高功率工作条件下仍能保持稳定。TSG40N55V还具备良好的抗雪崩能力和短路保护特性，增强了其在严苛环境下的可靠性。