类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：850V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.17Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散（PD）：200W

TSD60R850S1 MOSFET具备多项优异的电气特性，能够满足高要求的电力电子应用需求。其主要特性之一是低导通电阻（RDS(on)），这使得该器件在导通状态下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的最大漏极-源极电压（VDS）额定值，使其适用于高压应用环境。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽式技术，优化了器件的开关性能，从而降低了开关损耗并提高了整体效率。同时，其高栅极-源极电压额定值（±30V）允许使用更高的驱动电压，提高了栅极控制的稳定性，减少了误触发的风险。
　　TSD60R850S1的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，使其适用于各种恶劣的工作环境。此外，该器件的封装形式为TO-247，具备良好的散热能力，有助于提高器件在高功率应用中的稳定性与可靠性。
　　综合来看，TSD60R850S1是一款高效、高可靠性的功率MOSFET，适用于需要高效率和高稳定性的电力电子系统。

TSD60R850S1 MOSFET主要用于高功率和高频开关应用，包括工业电源、开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、焊接设备、电镀电源、LED照明驱动电路、电动车充电器以及太阳能逆变器等。此外，该器件也适用于汽车电子系统中的电力控制模块，如电动助力转向系统、车载充电系统和电池管理系统。

TK85A850V, IXFH60N80Q, STW80N850LZ, IRGP50B60PD1