RF1633TR 时间：2025/8/15 14:40:37 阅读：10

RF1633TR 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）制造的射频（RF）晶体管，属于双极型晶体管（BJT）类型，专为高频和射频放大应用设计。该器件适用于需要在高频范围内提供高增益和高功率输出的场合，例如射频功率放大器、无线通信设备、基站和广播设备等。RF1633TR 采用 TO-275AA（也称为 SOT-89AB）封装，便于在高频电路中进行安装和散热处理。这款晶体管在设计上优化了高频性能，具有良好的稳定性和热特性。

参数

类型：双极型晶体管（BJT）
　　材料：硅（Si）
　　结构：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：1.5A
　　最大功耗（PD）：25W
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　输出功率：2W（典型值）
　　增益（hFE）：20-120
　　封装类型：TO-275AA（SOT-89AB）
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

特性

RF1633TR 拥有出色的高频性能，特别适用于射频放大器设计。其主要特性包括能够在 100MHz 频率下保持高增益表现，同时提供高达 2W 的输出功率能力，使其成为中功率射频应用的理想选择。该器件采用 NPN 结构，具备良好的线性度和低失真特性，适合用于需要高保真信号放大的场合。
　　此外，RF1633TR 的 TO-275AA 封装有助于在高频应用中实现良好的散热管理，提高器件的可靠性。该晶体管的 hFE（电流增益）范围为 20 至 120，允许设计人员根据需要选择适当的偏置条件以优化电路性能。在工作温度范围方面，RF1633TR 能够在 -65°C 至 +150°C 的环境中运行，使其适用于各种严苛的工业和通信应用。

应用

RF1633TR 主要用于射频功率放大器的设计，适用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、广播设备和业余无线电设备。该器件也常用于工业和消费类高频电子设备中，例如 RFID 读写器、无线传感器网络节点和射频测试仪器。由于其良好的高频性能和稳定性，RF1633TR 也适合用于需要高线性度和低失真的射频发射模块。此外，该晶体管还可用于中功率音频放大器和开关电路，尤其适用于对高频响应有较高要求的应用场景。