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AO4832 发布时间 时间:2025/5/24 11:49:39 查看 阅读:18

AO4832是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)推出的N沟道MOSFET,采用超小型DFN1x2-8L封装形式。这款MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性,适用于空间受限的应用场景。其设计旨在优化效率和散热性能,适合便携式设备、电源管理模块以及其他对功率密度要求较高的应用。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:3.9A
  导通电阻:7mΩ
  栅极电荷:11nC
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

AO4832具有极低的导通电阻,可显著降低传导损耗,从而提高整体系统效率。
  该器件采用DFN1x2-8L封装,尺寸小巧,非常适合PCB空间有限的设计。
  具备优异的热稳定性,能够在较高环境温度下可靠运行。
  快速开关能力使得AO4832在高频应用中表现出色,例如DC-DC转换器和负载开关。
  其低栅极电荷进一步减少了开关损耗,有助于提升能效。

应用

AO4832广泛应用于消费类电子产品中的电源管理电路,如智能手机和平板电脑的充电接口保护、电池供电设备中的负载开关以及同步整流电路。
  此外,它也常用于LED驱动器、电机控制和音频放大器等需要高效功率切换的应用领域。
  由于其紧凑的封装形式和高性能特点,AO4832是许多现代电子设备的理想选择。

替代型号

AO4830
  IRLML6402
  Si2304DS

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AO4832参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 15V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds910pF @ 15V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装带卷 (TR)