时间：2025/5/24 11:49:39
阅读：18
AO4832是一款由Alpha & Omega Semiconductor（AOS）推出的N沟道MOSFET，采用超小型DFN1x2-8L封装形式。这款MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性，适用于空间受限的应用场景。其设计旨在优化效率和散热性能，适合便携式设备、电源管理模块以及其他对功率密度要求较高的应用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：3.9A
导通电阻：7mΩ
栅极电荷：11nC
工作温度范围：-55℃至150℃
AO4832具有极低的导通电阻，可显著降低传导损耗，从而提高整体系统效率。
该器件采用DFN1x2-8L封装，尺寸小巧，非常适合PCB空间有限的设计。
具备优异的热稳定性，能够在较高环境温度下可靠运行。
快速开关能力使得AO4832在高频应用中表现出色，例如DC-DC转换器和负载开关。
其低栅极电荷进一步减少了开关损耗，有助于提升能效。
AO4832广泛应用于消费类电子产品中的电源管理电路，如智能手机和平板电脑的充电接口保护、电池供电设备中的负载开关以及同步整流电路。
此外，它也常用于LED驱动器、电机控制和音频放大器等需要高效功率切换的应用领域。
由于其紧凑的封装形式和高性能特点，AO4832是许多现代电子设备的理想选择。
AO4830
IRLML6402
Si2304DS
